儲存注意事項:儲存于陰涼、通風的庫房。遠離火種、熱源。防止陽光直射。包裝密封。應與還原劑、活性金屬粉末、食用化學品分開存放,切忌混儲。
減反射膜:在光學鏡片和太陽能電池上形成均勻 CeO?薄膜,使透光率提升至 98% 以上,減少反射損失。
太陽能電池應用:減少表面反射 (從 30% 降至 5% 以下),增加光吸收,提高光電轉換效率 10-15%
高折射率光學材料:用于制備望遠鏡、顯微鏡等高精密光學元件,提高成像分辨率和對比度。
集成電路拋光材料:
用于硅片和藍寶石襯底的化學機械拋光 (CMP),利用 CeO?的高硬度和化學活性實現超平坦化,表面粗糙度 < 1nm
在先進制程 (7nm 以下) 中作為關鍵材料,確保全局平坦化
半導體掩膜版蝕刻:
高純度 CAN 溶液 (≥99.9%) 作為鉻掩模蝕刻液,具有選擇性高、蝕刻速率可控 (50-200nm/min)、不損傷光刻膠等優勢,廣泛應用于面板和芯片制造
金屬防腐:
在鋼鐵、鋁合金表面形成致密 CeO?保護膜,隔離氧氣和水分,顯著提升耐蝕性
鎂合金應用:腐蝕電位從 - 1.69V 提升至 - 1.26V,腐蝕電流密度降低 97%,耐磨時間延長 8 倍 (從 1min 到 8min)