磷化銦單晶的制備操作步驟包括如下兩道：

(1)合成磷化銦多晶。合成操作是讓高純的磷蒸氣與熔融高純銦直接發(fā)生作用，多采用水平定向結(jié)晶法和區(qū)域熔煉法。

(2)制備摻雜磷化銦單晶。一般采用高壓溶液提拉法，是將盛有磷化銦多晶的石英坩堝置于高壓設(shè)備內(nèi)進(jìn)行，用電阻絲或高頻加熱，惰性氣體保護(hù)(壓力3×106Pa)下讓晶體生長(zhǎng)。為了提高InP單晶質(zhì)量，降低位錯(cuò)密度，可通過摻雜(如Sn、S、Zn、Fe、Ga、Sb等)以減少位錯(cuò)。摻雜是往多晶中放人中間摻人物，使之在熔融和結(jié)晶過程中得予擴(kuò)散實(shí)現(xiàn)。