硅基材料蝕刻：用于單晶硅、多晶硅的微蝕刻，例如在半導體芯片制造中，硝酸鈰銨與硝酸、氫氟酸復配，可蝕刻硅片表面的氧化層或形成微米級溝槽、孔洞。典型配方為 CAN 0.1-0.5mol/L + 硝酸 5%-10% + 氫氟酸 1%-3%，25-35℃下蝕刻速率約 0.5-2μm/min，能實現硅材料的精準減薄或圖案化。

PCB 線路板蝕刻：針對 PCB 板上的銅、銀等金屬線路，硝酸鈰銨可作為無氯蝕刻劑替代傳統氯化鐵蝕刻液。例如蝕刻銅線路時，CAN 與硫酸復配（CAN 0.2mol/L + 硫酸 10%），在 30℃下蝕刻速率達 1-3μm/min，蝕刻后的線路邊緣整齊、無毛刺，且廢水不含氯離子，處理難度更低。

玻璃與陶瓷表面蝕刻

用于玻璃或陶瓷的表面微蝕刻，提升材料表面粗糙度，增強與涂層、膠粘劑的結合力。例如在光伏玻璃、電子陶瓷基板加工中，CAN 與氫氟酸復配（CAN 0.05-0.1mol/L + 氫氟酸 2%-4%），室溫下蝕刻 30-60 秒，可使材料表面接觸角從 90° 降至 30° 以下，涂層附著力提升 2-3 倍。

3. 蝕刻工藝要點與安全注意

工藝控制：蝕刻前需清潔基材表面（去除油污、氧化層），蝕刻中通過攪拌保證反應均勻，蝕刻后需立即用去離子水沖洗，避免殘留藥劑腐蝕材料。

安全防護：硝酸鈰銨具有強氧化性和腐蝕性，接觸皮膚、眼睛會造成嚴重刺激，操作時需穿戴防腐蝕手套、護目鏡、防護服，避免與還原劑、有機物接觸（防止發生氧化還原反應放熱）。

廢液處理：蝕刻廢液含重金屬鈰離子和銨鹽，需經中和、沉淀處理達標后排放，不可直接丟棄。