蝕刻精度極高，適配精細線路加工

側蝕量極低：Ce??的氧化反應具有高度選擇性，蝕刻過程中對線路側壁的侵蝕（側蝕）比氯化鐵蝕刻液減少 60% 以上，可實現線寬 / 線距≤50μm 的精細線路加工（如 HDI 板、IC 載板的 20μm 級線路），線路邊緣平整度提升 30%，偏差≤2μm，滿足高密度、微型化 PCB 的制造需求。

蝕刻均勻性好：蝕刻液體系穩定，反應速率可控，避免出現局部過蝕刻或蝕刻不足，成品合格率提升至 98% 以上，尤其適合鉻銅復合金屬層的精準蝕刻（僅蝕刻鉻層，不損傷銅層和基板）

硝酸鈰銨英文名稱:Ammonium cerium(IV) nitrate CAS:16774-21-3