一氧化硅 化學符號：SiO 規格：-300~500目 分 子 量：44.08 熔 點：1700℃ 密 度：2.1g/cm3 折 射 率(波長/nm)：1.8-1.9(550) 1.7(6000) 透明波段/nm：500-8000 相對介電常數:6 損耗因數：0.015-0.02 頻 率/kHz：1-103 坩 堝：Ta 蒸發源方式：Ta、Mo 沉積技術：蒸鍍 溶 解 于：王水 在10-4Torr蒸發溫度：850℃ 薄膜的機械和化學性質：適用電阻蒸發，應用低速率。低壓下快速蒸發。 應 用：保護膜，冷光膜，裝飾膜
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