一氧化硅 化學(xué)符號：SiO 規(guī)格：-300~500目 分 子 量：44.08 熔 點(diǎn)：1700℃ 密 度：2.1g/cm3 折 射 率(波長/nm)：1.8-1.9(550) 1.7(6000) 透明波段/nm：500-8000 相對介電常數(shù):6 損耗因數(shù)：0.015-0.02 頻 率/kHz：1-103 坩 堝：Ta 蒸發(fā)源方式：Ta、Mo 沉積技術(shù)：蒸鍍 溶 解 于：王水 在10-4Torr蒸發(fā)溫度：850℃ 薄膜的機(jī)械和化學(xué)性質(zhì)：適用電阻蒸發(fā)，應(yīng)用低速率。低壓下快速蒸發(fā)。 應(yīng) 用：保護(hù)膜，冷光膜，裝飾膜