1月8日，據“太原日報”消息，山西爍科晶體有限公司中國電科（山西）碳化硅材料產業基地（二期）項目已具備設備進廠條件，預計將在1月底前開始進場設備，2024年3月可投入試生產。
中國電科（山西）碳化硅材料產業基地（二期）項目投資5億元，主要建設包括單晶生產車間、動力配套等在內的總面積1.6萬平方米的綜合性廠房。項目于2023年9月份開始建設，10月份進入主體鋼結構施工，11月主體完成封頂。預計2025年投產，投產后年產能可達30萬片SiC襯底。
值得一提的是，中國電科(山西)碳化硅材料產業基地一期項目早在2020年2月實現投產。一期項目總投資為50億元，達產后具備年產10萬片4-6英寸N型碳化硅單晶晶片、5萬片4-6英寸高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的生產能力。
據了解，山西爍科晶體成立于2018年，是國內從事第三代半導體材料碳化硅生產和研發的領軍企業。中國電科（山西）碳化硅材料產業基地（二期）項目是2023年山西省重點工程項目，也是山西爍科晶體有限公司瞄準“成為國內卓越、世界一流的碳化硅材料供應商”這一目標打造的一張關鍵拼圖。
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作者：粉體圈
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