之所以碳化硅成為第三代寬禁帶半導體材料，因為其在禁帶寬度、擊穿電場、熱導率、電子飽和速率等方面展現出顯著優勢，也因為其在高溫、高壓、高頻領域的優異表現。

超高純、類球形3C-SiC微粉（來源：晶彩材料）

半導體案例

1、SiC具有約3.26 eV的寬帶隙（相比于硅的1.12 eV）；約4.9 W/cm·K的熱導率（相當于硅的3倍）；約3 MV/cm的擊穿電場（約為硅的10倍），于是采用碳化硅襯底的射頻（RF）放大器被用于5G基站、雷達、衛星通信系統，能夠顯著提升器件的功率密度、可靠性和高功率性能。

2、SiC基器件能夠在超過600℃的環境中穩定工作，而硅基器件在超過150℃時性能會急劇下降；SiC相比硅具有優異的耐腐蝕性、高硬度和高強度，因此更適用于苛刻環境，于是采用碳化硅襯底的各類傳感器在航空航天、汽車、能源和工業過程控制等領域具有廣泛應用。

當然不止于半導體材料，碳化硅的其他高附加值應用還包括高端特種陶瓷、熱界面材料等。具體如封裝基板、晶圓拋光和高功率電子設備的散射器件，無一例外，這些應用對碳化硅原材料的要求極高，純度、結晶質量和缺陷密度（如位錯）等都會對晶圓或陶瓷的電學、熱血和機械性能等造成影響。然而高純碳化硅制備過程復雜且成本較高，全球范圍圍繞相關技術和產業化的努力還在持續加碼，資本融入和技術升級推動下，超高純碳化硅的應用前景將更加廣闊。

即將在廣州保利世貿博覽館2號館舉辦的CAC廣州先進陶瓷展的同期會議——“全國先進陶瓷與新能源產業創新發展論壇（6月14日）”上，紹興晶彩科技有限公司總經理/創始人，哈工大的張磊博士將做題為“超高純碳化硅粉體制備及在半導體、高端特種陶瓷、熱界面材料領域應用”報告，重點介紹高純碳化硅的結構特性、制備方法、產業化及其在碳化硅襯底、半導體陶瓷、高精密研磨以及熱管理材料等諸多領域應用，并對相關技術發展進行了展望。

報告人簡介

張磊，男，漢族，1980年生,哈爾濱工業大學博士，紹興晶彩科技有限公司創始人。主要從事超高純碳化硅粉體材料的研發與生產，在超高純碳化硅粉體規模化量產與應用、第三代半導體材料產業化落地等領域具有十余年經驗。在國際上率先開發了“無催化引發聚合技術制備高純碳化硅粉源”關鍵技術研究，研發的新材料成功應用于半導體制程所需的高精密特種碳化硅陶瓷件、半導體功率器件、集成電路制造裝備等領域，打破了原料被歐美公司壟斷的危險局面，徹底解決了了半導體級碳化硅材料的卡脖子問題。 發表論文20余篇，申報發明專利三十余項，授權發明專利二十五項。曾獲2014年“無錫市創新創業領軍人才”稱號、 2016年“江蘇省創新創業領軍 人才”稱號，紹興市柯橋區2024 年第二批“人才+”專項支持 計劃人才等。

CAC廣州先進陶瓷展