10月17日，山東濟南舉辦的半導體、空天信息產業高價值技術成果本市轉化對接會上，第三代半導體材料氮化鎵（GaN）、碳化硅等項目簽約。

氮化鎵

山東晶鎵半導體有限公司入駐新一代半導體公共服務平臺項目，將依托山東大學晶體材料國家重點實驗室、新一代半導體材料研究院研發的最新GaN單晶生長與襯底加工技術成果，開展第三代半導體材料氮化鎵（GaN）單晶襯底的研發、生產和銷售，能為電子、通信、計算等多個行業提供基礎支撐，有助于塑造產業核心競爭力。

碳化硅

中晶芯源8英寸碳化硅單晶和襯底產業化項目于2023年12月正式納入國家產業布局，計劃總投資15億元，達產年產能30萬片，是公司致力于打造國際一流碳化硅單晶襯底供應商的核心布局。公司北方基地也是山東大學晶體材料國家重點實驗室產業化基地和山東大學研究生聯合培養基地。今年6月，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司投建的南砂晶圓8英寸碳化硅北方基地項目宣布正式投產，全資子公司山東中晶芯源半導體科技有限公司盛大開業。

2023年7月，山東大學與濟南市政府聯合成立的濟南晶谷研究院揭牌。據悉，濟南晶谷研究院成立以來，先后引進2家產業鏈企業，分別為中晶芯源、晶啟光電，孵化2家小微企業，分別為山東晶鎵半導體和山東一芯智能科技，并成立研究院全資子公司濟南晶谷科技有限公司。濟南晶谷研究院副院長孫濤表示，“目前我們還有一系列新的落地項目正在談，相信接下來，濟南晶谷研究院能夠為濟南市新一代半導體產業的高質量發展作出貢獻。”

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