上月初，在首爾舉行為期兩天的“SK AI峰會”上，SK海力士（SK hynix）正式宣布開發(fā)目前全球最大容量的48GB(千兆字節(jié))HBM（高帶寬存儲器）——16層堆疊HBM3E，并展示了其卓越的核心成果。

現(xiàn)階段，知名企業(yè)如SK hynix、Micron、三星等，都在大力開發(fā)HBM3E內(nèi)存模塊，并且在較小層數(shù)（如8層或12層）的HBM3E量產(chǎn)方面取得一定的進(jìn)展。其中，SK hynix已在今年9月宣布率先開始量產(chǎn)12層HBM3E（36GB），也是目前全球HBM產(chǎn)品中容量最大的。

編者注：

所謂MR-MUF是Mass Reflow Molded Underfill的縮寫，先進(jìn)MR-MUF技術(shù)則是基于第一代技術(shù)的升級版本，具有翹曲控制功能(Warpage Control)，可實(shí)現(xiàn)無翹曲堆疊，芯片厚度比傳統(tǒng)芯片薄40%，此技術(shù)采用新型保護(hù)材料，可有效改善散熱性能。

混合鍵合(Hybrid Bonding)：一種無需凸點(diǎn)便可將芯片直接連接在一起從而實(shí)現(xiàn)更高帶寬和容量的技術(shù)。通過這一措施,芯片整體厚度將變的更薄,可以實(shí)現(xiàn)更高堆疊。目前該技術(shù)正在考慮用于16層及以上的HBM產(chǎn)品。 SK海力士正在考慮采用結(jié)合先進(jìn)MR-MUF和混合鍵合方式。

相關(guān)閱讀：走近名企|SK海力士HBM熱管理封裝技術(shù)及相關(guān)材料淺談

參加本次峰會的有OpenAI總裁兼首席執(zhí)行官格雷格·布羅克曼(Greg Brockman)，及微軟全球副總裁拉尼·博卡爾(Rani Borkar)等，可見該硬件模塊對AI產(chǎn)業(yè)的重要性。SK hynix社長表示，“我們通過堆疊16層DRAM芯片成功實(shí)現(xiàn)了48GB的容量，并應(yīng)用了量產(chǎn)獲得驗(yàn)證的先進(jìn)MR-MUF技術(shù)，同時(shí)還在積極開發(fā)作為后端工藝的混合鍵合(Hybrid Bonding)技術(shù)。” 他補(bǔ)充道：“與12層堆疊產(chǎn)品相比，新品使AI的學(xué)習(xí)性能最高可提升18%、推理性能有望最高可提升32%”。公司計(jì)劃于2025年實(shí)現(xiàn)16層堆疊HBM3E的商業(yè)化。”負(fù)責(zé)產(chǎn)品開發(fā)的SK hynix副社長則表示，“隨著AI算力成本攀升，為了實(shí)現(xiàn)性能與成本的雙重優(yōu)化，定制型HBM正逐漸被開發(fā)。目前，我們正通過客戶、代工廠和存儲器供應(yīng)商的三方協(xié)作，來積極應(yīng)對這一行業(yè)挑戰(zhàn)。”

編譯整理 YUXI