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代加工
要求:0.3μm的α-SiC粉末和亞微米級的Al2O3和Y2O3粉末(分別為4.3 wt%和5.7 wt%)形成液相。同時,采用4.5wt %SiC晶須粉末,平均粒徑為20 nm作為補強劑。將原料用轉速為180轉/分的行星磨機研磨混合3小時,然后在100℃下干燥4小時,將樣品壓成圓柱形片。然后,樣品在600℃下以2℃/min的升溫速率進行熱解;最后,在1900℃下燒結1.5 h。在達到燒結溫度之前,所有樣品都在1800℃下熱處理0.5 h。 SiC尺寸如下圖:
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