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氯化銦制備氧化銦錫(ITO)薄膜

關于四水氯化銦產品的主要性質介紹

英文名稱: Indium chloride

 CAS NO. 22519-64-8

分子式: InCl3·4H2O

分子量: 221.18

EINECS: 233-043-0


透明導電薄膜與電極

氯化銦可通過溶膠 - 凝膠法、噴霧熱解法等工藝,制備氧化銦錫(ITO)薄膜的前驅體。ITO 是目前應用最廣泛的透明導電材料,具有高導電性和可見光透明性,用于液晶顯示器(LCD)、觸摸屏、太陽能電池的電極等。氯化銦在制備過程中提供銦離子,經焙燒后轉化為氧化銦(In?O?),再摻雜錫(Sn)形成 ITO。

化合物半導體材料制備

核心應用:作為銦源制備 Ⅲ-Ⅴ 族、Ⅱ-Ⅵ 族半導體化合物,例如:與砷化氫(AsH?)反應生成砷化銦(InAs),是高頻晶體管、紅外探測器的核心材料,適用于微波通信和光電子器件。

與磷化氫(PH?)反應制備磷化銦(InP),是光纖通信中激光二極管、光電探測器的關鍵襯底材料,具有高頻、高速度的特性。

參與合成銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池的吸收層,氯化銦提供銦元素,與銅、鎵、硒等形成具有高光吸收系數的化合物,提升太陽能電池的轉換效率。



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備注: 四水氯化銦22519-64-8氯化銦四水;實驗級氯化銦;水合氯化銦現貨供應 CAS NO: 22519-64-8