高純度氫氧化鑭在光學(xué)薄膜中的應(yīng)用

氫氧化鑭化學(xué)式為L(zhǎng)a(OH)3,CAS號(hào)為14507-19-8,分子量為189.93。不溶于水,但能溶于強(qiáng)酸。易吸收空氣中的CO2,具有具有優(yōu)異的光,電,磁性能,并且被人們作為催化劑,吸附劑,熒光劑等得到廣泛的應(yīng)用。

氫氧化鑭具有高折射率和高透過(guò)率的特點(diǎn)，能夠滿(mǎn)足光學(xué)薄膜對(duì)光線傳播和折射的要求，可用于制造具有特定光學(xué)性能的薄膜，以調(diào)節(jié)光線的反射、折射和透射，滿(mǎn)足光學(xué)儀器以及光通信等相關(guān)行業(yè)需要。

氫氧化鑭薄膜具有潛在的單層抗反射功能，其納米棒薄膜可使可見(jiàn)光波段反射光損失顯著減少。將直徑為 20nm 的二氧化硅沉積在高粗糙度的氫氧化鑭薄膜上，可獲得兼具超親水性和防霧特性的復(fù)合薄膜，且抗反射特性沒(méi)有損失，這種薄膜在光學(xué)器件表面防護(hù)等方面具有廣泛應(yīng)用前景。

氫氧化鑭可以與其他材料復(fù)合，形成性能更優(yōu)的光學(xué)薄膜。例如，它可以與二氧化硅等材料結(jié)合，通過(guò)合理的制備工藝，調(diào)控薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能，以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。此外，氫氧化鑭還可作為制備氧化鑭薄膜的前驅(qū)體材料。通過(guò)化學(xué)氣相沉積等技術(shù)，可將氫氧化鑭轉(zhuǎn)化為氧化鑭薄膜，用于半導(dǎo)體等領(lǐng)域的光學(xué)器件制造。