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半導體掩膜版蝕刻 硝酸鈰銨高純度 CAN 溶液

集成電路拋光材料

  • 用于硅片和藍寶石襯底的化學機械拋光 (CMP),利用 CeO?的高硬度和化學活性實現超平坦化,表面粗糙度 < 1nm

  • 在先進制程 (7nm 以下) 中作為關鍵材料,確保全局平坦化

半導體掩膜版蝕刻

  • 高純度硝酸鈰銨 CAN 溶液 (≥99.9%) 作為鉻掩模蝕刻液,具有選擇性高、蝕刻速率可控 (50-200nm/min)、不損傷光刻膠等優勢,廣泛應用于面板和芯片制造


二水硝酸鈰銨CAS:16774-21-3 

光學性能高透過率 (>98%)、低反射 (<5%)、可調折射率 (1.9-2.2)
化學穩定性耐酸、耐堿、抗氧化,工作溫度可達 500℃以上
工藝適應性適用于多種基材 (玻璃、硅、金屬、陶瓷),可通過調整工藝參數控制膜厚 (10nm-1μm)
環保性無毒 (鈰為稀土元素,生物相容性好),部分工藝無有害排放



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備注: 硝酸鈰銨溶液,二水硝酸鈰銨,硝酸鈰銨化學穩定性,硝酸鈰銨含量檢測