由于氧化鋯的相變過程中伴隨著體積的膨脹和收縮,而由相變引起體積和剪切應(yīng)力的變化,使得材料的抗熱震性能大大降低而導(dǎo)致材料開裂。為了克服這一問題,近年來世界各國科學(xué)家圍繞氧化鋯的相變機(jī)制和提高其相穩(wěn)定性方面做了大量卓有成效的研究工作。此外,摻雜穩(wěn)定的氧化鋯,使之形成固溶體進(jìn)而維持部分或全部穩(wěn)定的氧化锫立...
磷脂(Phospholipids,PLs)是含有磷酸的脂類,它為兩性分子,一端為親水的含磷酸基團(tuán)的極性頭基,另一端為疏水的含有兩條長脂肪酸鏈的非極性尾部。磷脂是生物體內(nèi)細(xì)胞膜的重要組成部分,在細(xì)胞信號傳導(dǎo)和細(xì)胞凋亡方面發(fā)揮著重要作用,它也與許多疾病的發(fā)生有關(guān),可作為某些疾病的信號分子。磷脂分為兩大類:甘油磷酯類和鞘脂...
由于氧化鋯有良好的化學(xué)穩(wěn)定性,并且它還同時兼有酸性和堿性表面活性中心;作為唯一一種既具有氧化性又具有還原性的p-型半導(dǎo)體,易于產(chǎn)生氧空穴。所以將其作為催化劑載體,可與活性組份產(chǎn)生較強(qiáng)的相互作用,由此可以使得所負(fù)載的催化劑表現(xiàn)出更加優(yōu)良的性能。如果進(jìn)一步制成納米級氧化鋯,由于納米顆粒具有高的比表面積和大...
為未來而生,OLED引領(lǐng)終端ID大幅創(chuàng)新OLED最早由美籍華裔教授鄧青云先生在實(shí)驗(yàn)室中發(fā)現(xiàn)。其原理是使電流穿過特殊的有機(jī)發(fā)光材料,在電場的作用下,激發(fā)有機(jī)材料使其發(fā)光。是一種將電能轉(zhuǎn)換為光能的過程。OLED的基本結(jié)構(gòu)是將層狀的有機(jī)材料夾于以銦錫氧化物(ITO)為陽極(Anode)和以金屬電極為陰極(Cathode)的兩層電極之...
1前言隧道窯因共生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)成本低、勞動條件好,機(jī)械化程度高等優(yōu)點(diǎn),是目前陶瓷、耐火材料等無機(jī)非金屬材料領(lǐng)域燒結(jié)或熱處理應(yīng)用較多的現(xiàn)代化爐窯。由于受到發(fā)熱元件、耐火材料、爐體結(jié)構(gòu)等諸多因素技術(shù)水平的限制,目前使用的氧化氣氛隧道窯溫度一般不超過1700℃。爐膛使用溫度大于1700℃的窯爐必須在保護(hù)性氣氛下使...
半導(dǎo)體材料是指電導(dǎo)率介于金屬與絕緣體之間的材料,半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率在歐/厘米之間,一般情況下電導(dǎo)率隨溫度的升高而增大。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料。支撐著通信、計(jì)算機(jī)、信息家電與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。半導(dǎo)體材料可以說是整個電子產(chǎn)業(yè)的元素,是實(shí)現(xiàn)電子性能...
氧化鋯按生產(chǎn)工藝的不同,分為化學(xué)氧化鋯和電熔氧化鋯。化學(xué)氧化鋯是采用氯堿化工及高溫鍛燒等工藝生產(chǎn)的,產(chǎn)品純度髙、質(zhì)量好,但生產(chǎn)工藝流程較長,需消耗大量的酸堿試劑,生產(chǎn)成本較高;電熔氧化鋯則是采用電弧爐熔煉的方法來生產(chǎn)的,工藝流程較短,生產(chǎn)成本較低,但產(chǎn)品的純度和一些物理性能稍差。氧化鋯是生產(chǎn)鋯系色料...
1引言在材料領(lǐng)域中,不少學(xué)者對Zr02材料的摻雜進(jìn)行了深入的分析與研究。摻雜使Zr02材料的結(jié)構(gòu)及各種性能都發(fā)生了變化。目前,用于摻雜的氧化物種類很多,按氧化物的陽離子價態(tài)可分為2價氧化物如:Mg0、Ca0;3價氧化物如:Y203、Sc203、Ln203、Nd203和其他價態(tài)的氧化物Ce02、Ta205等。納米摻雜不同于化學(xué)摻雜,它有助于提高粉...
1前言隧道窯因共生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)成本低、勞動條件好,機(jī)械化程度高等優(yōu)點(diǎn),是目前陶瓷、耐火材料等無機(jī)非金屬材料領(lǐng)域燒結(jié)或熱處理應(yīng)用較多的現(xiàn)代化爐窯。由于受到發(fā)熱元件、耐火材料、爐體結(jié)構(gòu)等諸多因素技術(shù)水平的限制,目前使用的氧化氣氛隧道窯溫度一般不超過1700℃。爐膛使用溫度大于1700℃的窯爐必須在保護(hù)性氣氛下使...
1.剪切強(qiáng)度測試結(jié)果噴砂組的剪切強(qiáng)度為(18.06±0.59)MPa,處理劑組的剪切強(qiáng)度為(21.04±1.23)MPa,對照組的剪切強(qiáng)度為(13.80+1.54)MPa,各組結(jié)果間的差異均有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<O.05)。2.掃描電鏡觀察結(jié)果氧化鋯陶瓷表面噴砂組及處理劑組:氧化鋯試件表面形成了不規(guī)則的凹陷和凸起。對照組:氧化鋯試件表面可見規(guī)則而...