趙有文，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，博士生導(dǎo)師。長期從事砷化鎵、磷化銦、銻化鎵、砷化銦等III-V族單晶材料生長技術(shù)、多晶合成技術(shù)、材料缺陷、雜質(zhì)、物性及其在光電子和微電子器件上的應(yīng)用研究。近年來開展了磷化銦和銻化鎵襯底的成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化工作，成立珠海鼎泰芯源晶體有限公司，致力于磷化銦襯底和銻化鎵襯底的規(guī)模化生產(chǎn)和市場應(yīng)用。主要從事的研究工作包括大尺寸單晶的LEC和VGF/VB生長技術(shù)；晶體的摻雜與電學(xué)性能；高溫退火及擴散對單晶缺陷的影響；深能級缺陷的屬性、產(chǎn)生機理及其對單晶材料電學(xué)性質(zhì)的影響；單晶中位錯缺陷與晶體完整性、襯底晶格損傷缺陷及表面制備技術(shù)、襯底表面缺陷及良率控制等。曾承擔(dān)完成國家科技攻關(guān)項目、自然科學(xué)基金項目、院地合作項目等累計50余項。在國際、國內(nèi)核心學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文150余篇，獲國家級科學(xué)與技術(shù)進步獎二等獎、安徽省高校自然科學(xué)一等獎和省自然科學(xué)二等獎各一項，申請專利數(shù)十項。
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