趙有文，中國科學院半導體研究所研究員，博士生導師。長期從事砷化鎵、磷化銦、銻化鎵、砷化銦等III-V族單晶材料生長技術、多晶合成技術、材料缺陷、雜質、物性及其在光電子和微電子器件上的應用研究。近年來開展了磷化銦和銻化鎵襯底的成果轉化和產業化工作，成立珠海鼎泰芯源晶體有限公司，致力于磷化銦襯底和銻化鎵襯底的規模化生產和市場應用。主要從事的研究工作包括大尺寸單晶的LEC和VGF/VB生長技術；晶體的摻雜與電學性能；高溫退火及擴散對單晶缺陷的影響；深能級缺陷的屬性、產生機理及其對單晶材料電學性質的影響；單晶中位錯缺陷與晶體完整性、襯底晶格損傷缺陷及表面制備技術、襯底表面缺陷及良率控制等。曾承擔完成國家科技攻關項目、自然科學基金項目、院地合作項目等累計50余項。在國際、國內核心學術刊物上發表論文150余篇，獲國家級科學與技術進步獎二等獎、安徽省高校自然科學一等獎和省自然科學二等獎各一項，申請專利數十項。
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