天津理工大學功能晶體研究院高級工程師。1998年本科畢業于四川聯合大學材料科學系，2009年在天津大學電子與通信工程專業獲得工程碩士學位。1998-2019年在中國電子科技集團公司第四十六研究所從事光電晶體及半導體材料制備工藝研究。2010年起先后任中國電科第四十六所研發部副主任、主任，中國電子科技集團公司新型半導體晶體材料技術重點實驗室副主任，特聘研究員。天津市“131”創新型人才第一層次人選。2019年調職入天津理工大學功能晶體研究院。目前為中國硅酸鹽學會晶體生長與材料分會理事。

主要研究領域為II-VI族、III-V族及寬禁帶半導體單晶材料生長工藝研究、單晶材料加工技術研究，同時在單晶生長設備設計制造方面有豐富經驗。熟悉PVT、HVPE、VB、VGF、Cz、LEC、導模、溶液降溫等多種單晶生長工藝。

先后主持科研項目10項，作為主要成員參與科研項目20多項。發明及參與發明專利及實用新型專利申請上百項，其中授權62項，待審核21項。

主持科研項目

1.4英寸高純半絕緣4H-SiC單晶襯底工程化技術研究，裝備發展部進口替代項目，2015-2016，2361萬；

2.HVPE法制備GaN同質襯底，科技部863項目，2007-2009，270萬；

3.XXXXXXXXXXX   PIN二極管用反外延材料，國防科工局國防基礎科研項目，2005~2006，640萬；

4.2英寸CdS紫外探測單晶材料研究，總裝備部型譜項目，2009~2010年，450萬