趙有文，男，博士，研究員，博士生導(dǎo)師。

1999年獲博士學(xué)位,2000年-2002年，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所博士后。主要從事磷化銦、銻化鎵等化合物單晶材料生長(zhǎng)技術(shù)、材料缺陷和材料在光電子和微電子器件上應(yīng)用的研究。

取得的主要學(xué)術(shù)成績(jī)：

通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究揭示了原生磷化銦材料中氫-銦空位復(fù)合體缺陷的形成規(guī)律以及與材料電學(xué)補(bǔ)償和熱生缺陷的關(guān)系。通過(guò)研究和比較純磷和磷化鐵氣氛下高溫退火處理磷化銦材料后產(chǎn)生的深能級(jí)缺陷，發(fā)現(xiàn)了與退火過(guò)程中原子擴(kuò)散有關(guān)的缺陷產(chǎn)生與抑制現(xiàn)象并給出了物理解釋。在此基礎(chǔ)上證明這些深能級(jí)缺陷大部分與銦空位有關(guān)。同時(shí)掌握了抑制深能級(jí)缺陷產(chǎn)生、制備高質(zhì)量半絕緣磷化銦材料的物理機(jī)理和技術(shù)途徑。對(duì)影響晶體完整性的因素進(jìn)行了全面的分析研究，包括微缺陷的成因、結(jié)構(gòu)位錯(cuò)的形成原因以及所產(chǎn)生的晶格畸變、點(diǎn)缺陷對(duì)晶格完整性的影響等。這些研究成果有效促地進(jìn)了高質(zhì)量磷化銦等材料單晶生長(zhǎng)技術(shù)和單晶襯底制備技術(shù)的提高。

目前主要研究領(lǐng)域：

寬禁帶半導(dǎo)體ZnO和AlN單晶材料生長(zhǎng)、缺陷和物性研究；冶金法提純多晶硅技術(shù)及應(yīng)用開(kāi)發(fā)；高效太陽(yáng)電池用低位錯(cuò)Ge單晶生長(zhǎng)與缺陷控制；大直徑InAs單晶生長(zhǎng)及材料性質(zhì)。