趙有文，男，博士，研究員，博士生導師。
1999年獲博士學位,2000年-2002年，中國科學院半導體研究所博士后。主要從事磷化銦、銻化鎵等化合物單晶材料生長技術、材料缺陷和材料在光電子和微電子器件上應用的研究。
取得的主要學術成績：
通過實驗研究揭示了原生磷化銦材料中氫-銦空位復合體缺陷的形成規律以及與材料電學補償和熱生缺陷的關系。通過研究和比較純磷和磷化鐵氣氛下高溫退火處理磷化銦材料后產生的深能級缺陷，發現了與退火過程中原子擴散有關的缺陷產生與抑制現象并給出了物理解釋。在此基礎上證明這些深能級缺陷大部分與銦空位有關。同時掌握了抑制深能級缺陷產生、制備高質量半絕緣磷化銦材料的物理機理和技術途徑。對影響晶體完整性的因素進行了全面的分析研究，包括微缺陷的成因、結構位錯的形成原因以及所產生的晶格畸變、點缺陷對晶格完整性的影響等。這些研究成果有效促地進了高質量磷化銦等材料單晶生長技術和單晶襯底制備技術的提高。
目前主要研究領域：
寬禁帶半導體ZnO和AlN單晶材料生長、缺陷和物性研究；冶金法提純多晶硅技術及應用開發；高效太陽電池用低位錯Ge單晶生長與缺陷控制；大直徑InAs單晶生長及材料性質。
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