6月26日，長飛光纖發布公告稱，旗下子公司安徽長飛先進半導體有限公司（以下簡稱“長飛先進半導體”）擬投資人民幣60億元（包括36 億元的股權融資及24 億元的銀行貸款）在湖北省武漢市東湖新技術開發區建設第三代半導體功率器件生產項目。

該項目建設內容包括第三代半導體外延、晶圓制造、封測等產線，建設完畢后將形成年產 36 萬片 6 英寸碳化硅晶圓及外延、年產 6100 萬個功率器件模塊的能力，達產后預計年產值約人民幣 53 億元。該項目建設同期，長飛先進半導體還將建設第三代半導體科技創新中心，用于跟進第三代半導體國際前沿技術并開發第三代半導體器件先進工藝。

長飛先進半導體表示，目前，國內新能源汽車的市場持續快速發展，主要廠商對國內供應商的需求不斷釋放。本次增資旨在進行與客戶需求相匹配的產能擴充，及加速下一代產品研發。本次增資的資金，將主要投入第三代半導體功率器件生產項目，有助于長飛先進半導體的業務拓展。

安徽長飛先進半導體有限公司是長飛光纖在第三代半導體領域深度布局的重要舉措，也是長飛光纖近年來成功實施多元化戰略及戰略轉型的代表體現。自2018年1月成立以來，長飛先進半導體專注于碳化硅（SiC）功率半導體產品研發及制造，擁有國內一流的產線設備和先進的配套系統，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發能力。可年產6萬片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬只功率模塊、1800萬只功率單管。

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