近日，據天成半導體官微消息，公司繼第二季度研制出12英寸N型碳化硅單晶材料后，又依托自主研發的12英寸碳化硅長晶設備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料。
目前，天成半導體現已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長雙成熟工藝，其中12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35㎜，自研的長晶設備可產出直徑達到350㎜的單晶材料。
12英寸導電型碳化硅單晶材料
12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料
近年來，天成半導體不斷迭代產品工藝，在大尺寸、低成本量產方面實現關鍵技術突破，率先研發出可量產的8-12英寸導電型和半絕緣型碳化硅單晶材料，產品質量達到國際領先水平。截至目前，公司已形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、6-12英寸碳化硅單晶材料生長、生產耗材加工等完整的生產線。實現了從碳化硅長晶設備制造、粉料、籽晶、熱場設計到晶體加工等全流程工藝完全自主可控。
未來，天成半導體將繼續聚焦大尺寸碳化硅單晶材料的產業化技術，以先進成熟的工藝能力為基石，致力于為客戶提供碳化硅材料生產中高品質、高可靠性的“裝備+耗材+工藝服務”一體化解決方案。
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作者：粉體圈
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