8月3日，衢州常山縣舉行了浙江大和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園三期建設(shè)項目竣工儀式，該項目由浙江盾源聚芯半導(dǎo)體科技有限公司和浙江富樂德半導(dǎo)體材料科技有限公司總投資近20億元建設(shè)，導(dǎo)入的化學(xué)氣相沉積碳化硅生產(chǎn)線將填補國內(nèi)空白。

圖片來源：蘇州建筑工程集團（項目施工方）

浙江大和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園主要由浙江盾源聚芯半導(dǎo)體科技有限公司高純硅部件項目、浙江富樂德半導(dǎo)體材料科技有限公司氧化鋁、氣相沉積碳化硅（CVD-SIC）三個子項目組成。

氣相沉積碳化硅以優(yōu)異的導(dǎo)熱性、高溫穩(wěn)定性、高電場承受力以及機械性能而在半導(dǎo)體行業(yè)得到廣泛應(yīng)用，如封裝材料，如MOSFET、IGBT等的基板或襯底材料等等，可有效提升半導(dǎo)體功率器件的穩(wěn)定性和可靠性。但氣相沉積碳化硅的制備工藝流程復(fù)雜，設(shè)備成本高昂，規(guī)模化生產(chǎn)穩(wěn)定性的控制對專業(yè)技術(shù)挑戰(zhàn)很大，這都使得國內(nèi)在該領(lǐng)域長期處于空白。

富樂德母公司ferrotec集團在氣相碳化硅領(lǐng)域擁有30年的技術(shù)積淀，其獨有的CVD法的SiC成膜技術(shù)，可提供低成本且高性能的產(chǎn)品，具有超高純度、高耐腐蝕性、高抗氧化性、高耐熱性、高耐磨性等特點。

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