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GB/T 42905-2023 碳化硅外延層厚度的測試 紅外反射法

發(fā)布時(shí)間 | 2023-12-01 15:27 分類 | 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 點(diǎn)擊量 | 713
碳化硅
導(dǎo)讀：本文件描述了采用紅外反射法測試碳化硅外延層厚度的方法。 本文件適用于n型摻雜濃度大于1×1018 cm-3的碳化硅襯底上同質(zhì)摻雜濃度小于1×1016 cm-3的同質(zhì)碳化硅外延層厚度的測試，測試范圍為3 μm...

標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 42905-2023

標(biāo)準(zhǔn)名稱：碳化硅外延層厚度的測試 紅外反射法

起草單位：安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司、安徽芯樂半導(dǎo)體有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、南京國盛電子有限公司、浙江芯科半導(dǎo)體有限公司、布魯克(北京)科技有限公司、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司。

歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)

發(fā)布日期：2023-08-06

實(shí)施日期：2024-03-01

作者：粉體圈

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