日本NGK（礙子）宣布斥資擴大陶瓷電路板2.5倍產能

發布時間 | 2024-03-08 17:32 分類 | 行業要聞點擊量 | 1138

氮化硅氧化鋁

導讀：?3月7日，日本NGK（礙子）公司宣布將投資50億日元擴大絕緣散熱電路板（以氮化硅基板進行金屬化和蝕刻）生產能力的決定，在2026年提高到目前水平的2.5倍左右。

3月7日，日本NGK（礙子）公司宣布將投資50億日元擴大絕緣散熱電路板（以氮化硅基板進行金屬化和蝕刻）生產能力的決定，在2026年提高到目前水平的2.5倍左右。

由于（SiC）功率半導體越來越多地被采用，就要求該系統在大功率的高溫環境下也能穩定運行，氮化硅絕緣散熱電路板以高導熱和高機械強度而在目前用于控制電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）電機的逆變器，實現高可靠性和優異的散熱特性。

如上圖所示，NGK擁有的自主接合（活性金屬釬焊AMB）技術，可以讓氮化硅陶瓷基板和銅板之間的鍵合層具有僅為幾微米或更小的超薄結構。這大大降低了粘合層熱阻和內部變形的影響，實現了高可靠性和優異的散熱特性。另外，對于常規氧化鋁陶瓷基板，NGK采用直接銅接合（DCB）技術接合。

NGK在散熱電路板生產中主要負責前序接合（將陶瓷基板與銅板熱壓或膠粘），以及后序蝕刻、電鍍等加工。本次投資包括對本土山口工廠和馬來西亞檳城工廠增設生產設施，從目前的約100000臺增加到約250000臺。NGK還表示正在考慮建設歐洲生產基地，加強對歐洲市場的供應體系，為未來需求的進一步增長做好準備。

編譯整理 YUXI