第三代半導體發展加速，特凱斯碳化硅原材料及碳化硅襯底項目簽約

發布時間 | 2024-10-09 09:17 分類 | 企業動態點擊量 | 850

碳化硅

導讀：9月25日，在第三屆全球數字貿易博覽會重大項目簽約儀式上，特凱斯新材料有限公司碳化硅原材料及碳化硅襯底項目正式簽約浙江仙居。

9月25日，在第三屆全球數字貿易博覽會重大項目簽約儀式上，特凱斯新材料有限公司碳化硅原材料及碳化硅襯底項目正式簽約浙江仙居。

特凱斯碳化硅原材料及碳化硅襯底項目簽約

特凱斯成立于2024年5月，是一家由海外留學歸國人員創立的開發、生產第三代半導體材料的高科技公司。公司核心團隊從事SiC相關材料和器件的開發累計已經超過50年的歷史，獨有的專利技術能夠大幅降低第三代半導體器件的成本，提高性能，促進第三代半導體的大規模普及。而此次簽約，特凱斯新材料有限公司計劃在仙居建設第三代半導體上游產業中心，以進一步擴大其在行業中的影響力。

據悉，日前，特凱斯已對外公布了其年產1200噸碳化硅粗品項目的環境影響評價信息。根據公告，該項目將在仙居經濟開發區現代醫藥化工園區內建設，包括生產線和配套的制氫項目。該項目占地120畝，總建筑面積約42150平方米，預計將形成年產1200噸碳化硅粗品和208噸氫氣（全部自用，不對外銷售）的生產能力，同時副產品為31%鹽酸。

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