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需求火爆的一體成型電感,是如何利用金屬軟磁材料制備的?

發(fā)布時間 | 2024-10-16 14:16 分類 | 粉體加工技術(shù) 點擊量 | 1572
導(dǎo)讀:隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展,AI芯片正加速向高性能和大功率方向邁進,芯片電感作為核心組件,技術(shù)正面臨著前所未有的高標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)。一體成型電感,作為繞線電感的升級版,是將線圈本體埋入軟磁復(fù)...

隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展,AI芯片正加速向高性能和大功率方向邁進,芯片電感作為核心組件,技術(shù)正面臨著前所未有的高標(biāo)準(zhǔn)挑戰(zhàn)。一體成型電感,作為繞線電感的升級版,是將線圈本體埋入軟磁復(fù)合磁心內(nèi)部模壓成型的,憑借體積小、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、效率高、保持優(yōu)秀電流及飽和電流特性等優(yōu)勢,當(dāng)前呈現(xiàn)爆發(fā)式增長的趨勢。


(來源:深圳市捷比信實業(yè)有限公司)

由于一體成型電感的性能指標(biāo)與軟磁復(fù)合磁心的磁性參數(shù)有直接關(guān)系,因此軟磁復(fù)合材料性能的優(yōu)化是提升一體成型電感綜合性能的關(guān)鍵。下面從軟磁復(fù)合材料的制備流程出發(fā)簡要介紹如何提升一體成型電感的性能。通常一體成型電感的制備流程主要包含磁粉成分設(shè)計及制備、粉末級配、磁粉表面絕緣包覆、壓制成型及熱處理工藝。

一、磁粉成分設(shè)計及制備

合金成分對磁粉的的飽和磁感應(yīng)強度、矯頑力及電阻率等本征特性有著極大影響,這些特性又直接決定了軟磁復(fù)合材料及其構(gòu)成的一體成型電感的性能,如磁心的有效磁導(dǎo)率、直流偏置性能和磁損耗等性能。根據(jù)合金成分,一體成型電感常采用的合金體系包括羰基鐵粉、鐵硅鉻磁粉心、非晶/納米晶磁粉心等。其中非晶材料是利用液態(tài)的金屬快速冷卻固化而得到的一種短程無序、長程有序的帶狀材料,納米晶材料則是在非晶材料的基礎(chǔ)上經(jīng)熱處理得到,為在非晶基體中形成均勻分布、納米尺度的晶粒,它們具有高電阻率、更低的矯頑力、磁滯損耗和渦流損耗,是未來一體成型電感軟磁材料的重要發(fā)展方向。

非晶/納米晶體系的成分設(shè)計一般需要滿足三個原則:

(1)由三個或三個以上組元構(gòu)成多元合金,以滿足各項性能。

(2)合金中主要組元之間的原子尺寸差大于12%;

(3)合金中主要組元之間具有大的負(fù)混合焓,有利于鐵磁性元素原子之間鍵的增強和短程有序區(qū)的形成,從而增大了合金的飽和磁化強度。

因此,非晶/納米晶合金設(shè)計中除了加入Fe、Co、Ni等鐵磁性元素來提升合金的飽和磁感應(yīng)強度之外,還需要添加一定量的B、C、Si等類金屬元素和Mo、Zr、W等過渡元素來提高來促進非晶和納米晶材料的形成。此外,為了獲得結(jié)構(gòu)均勻、尺寸小于20nm的α-Fe晶粒,Cu和Nb等元素也被添加到納米晶合金體系中,而Cr等元素的添加則有利于減少合金中的缺陷密度,進而降低了合金的矯頑力,同時有利于在氧化層中形成CrOx,進一步提高了合金的耐腐蝕性。不過,需要注意的是,上述非鐵磁性元素的添加也會導(dǎo)致其飽和磁感應(yīng)強度下降,影響電感的直流偏置特性,因此需要根據(jù)經(jīng)實際需求來調(diào)配各種粉末比例。

在制備方式上,非晶/納米晶粉末主要有帶材破碎粉末和霧化粉末,帶材破碎粉末形貌不規(guī)則且邊緣尖銳,影響粉末的后端包覆且容易刺破線包,因此市場上很少采用破碎非晶粉末制備一體電感。霧化法則是將一定成分配比的合金熔融,利用高壓氣流使液態(tài)金屬從噴嘴中噴出,通過氬氣等惰性氣體(氣霧化法)或者水(水霧化法)作為霧化介質(zhì),使金屬液滴冷卻而形成流動性好、有利于包覆的高球形度磁粉。目前最先進的非晶粉末制備工藝為ATMIX采用的SWAP(旋轉(zhuǎn)水霧化法)工藝,高速旋轉(zhuǎn)的水流可以快速破壞高溫熔融液滴與水接觸瞬間產(chǎn)生的表層氣膜,從而加速粉末冷卻,有效形成非晶態(tài)。


旋轉(zhuǎn)水霧化法工藝(來源:非晶合金)

二、粉末級配

磁粉的粒徑大小和粒度分布對軟磁復(fù)合材料的磁性能也有一定的影響。通常大粒徑的磁粉不易團聚,磁粉芯的成型密度會增高,進而可以提升磁導(dǎo)率和飽和磁感應(yīng)強度,但與此同時,由于受到趨膚效應(yīng)(交變電流通過導(dǎo)體時,由于感應(yīng)作用,會引起導(dǎo)體截面上電流分布的不均勻性,具體表現(xiàn)為愈接近導(dǎo)體表面,電流密度越大)的影響,磁粉芯的渦流損耗也增大,磁滯損耗則隨之降低。

因此為了改善材料的綜合性能,制備一體成型電感時,往往需要形成合理的顆粒級配,以此調(diào)節(jié)磁心內(nèi)部氣隙的分布,使磁粉芯形成密實堆積結(jié)構(gòu),降低氣隙處磁極產(chǎn)生的退磁場,從而大幅度增加了磁導(dǎo)率并減小損耗。

顆粒級配下磁心內(nèi)部退磁場示意(來源:參考文獻1)

三、絕緣包覆

當(dāng)軟磁粉顆粒之間沒有絕緣層時,在高頻、大電流下應(yīng)用容易形成連續(xù)的導(dǎo)電路徑,從而產(chǎn)生較大的渦流損耗。通過絕緣包覆,則可以有效地隔斷這些導(dǎo)電路徑,顯著降低渦流損耗,同時防止顆粒間的物理接觸和磁性相互作用,改善磁心在高頻、大電流下使用時的頻率穩(wěn)定性和直流偏置性能,并降低磁損耗。目前,根據(jù)絕緣介質(zhì)的材料體系,絕緣包覆可分為有機絕緣包覆和無機絕緣包覆。

1、有機絕緣包覆:

有機絕緣包覆一般以聚環(huán)氧樹脂、聚對二甲苯(PPX)等高電阻率的熱固性或熱塑性樹脂為絕緣介質(zhì),這類材料與軟磁粉有很好的浸潤性和結(jié)合性,不過由于大多數(shù)有機材料的耐溫性較差,高溫環(huán)境下可能會發(fā)生分解或老化,不利于磁心后續(xù)的熱處理,也影響電感器的長期穩(wěn)定性。

2、無機絕緣包覆

目前常用的無機絕緣層包括無機氧化物(如SiO2、Al2O3、TiO2、MgO等)、無機金屬鹽(磷酸鹽、硝酸鹽等)和軟磁鐵氧體(如Ni-Zn鐵氧體、Mn-Zn鐵氧體、Ni-鐵氧體等)。在制備方法上,無機絕緣包覆技術(shù)一般則可以分為濕化學(xué)法和干化學(xué)法。其中濕化學(xué)法是將待處理的金屬磁粉與無機絕緣劑在溶液中進行化學(xué)反應(yīng),從而在磁粉表面原位生成無機絕緣層。干化學(xué)法則是在一定溫度和氣氛下,將金屬磁粉氧化,從而在表面生成無機絕緣層。與干化學(xué)法相比,濕化學(xué)法需要控制化學(xué)反應(yīng)的時間、溫度、溶液成分和pH值等因素,使得工藝難以精確控制。

各類無機絕緣層的特性(來源:參考文獻2)

與有機材料相比,無機包覆材料通常具有較高的耐溫性和高電阻率,能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能。不過也存在成型性、粘接性等機械性能較差的缺點,所以目前許多研究采用有機-無機雙層包覆的包覆方法,綜合有機包覆與無機包覆的優(yōu)點。

四、壓制成型

軟磁復(fù)合材料的壓制成型是將表面絕緣包覆過的金屬磁粉、粘接劑和潤滑劑等混合均勻,并將繞組本體埋入,以一定的壓力壓制成塊體。目前,壓制成型工藝主要有冷壓、溫壓等方式。冷壓通常在室溫25℃的情況下進行,工藝較為成熟、設(shè)備也相對穩(wěn)定,且生產(chǎn)效率高,但若要提升材料的磁粉密度,進而提高磁導(dǎo)率和飽和磁感應(yīng)強度,則需要增大壓制壓力,因此電感的磁粉密度、產(chǎn)品特性、線圈的傾斜/變形三者之間的矛盾一直無法有效平衡,一般常用于大尺寸的一體成型電感器。而熱壓則通過控制溫度與壓力,在高溫(一般在100℃以上)低壓下實現(xiàn)一體成型電感粉末壓鑄及電感連接與封裝,既大大減少線圈變形,提高電路的可靠性與穩(wěn)定性,同時也大幅降低了電感總體損耗,適用于制備小尺寸一體成型電感,不過熱壓成型方式對磁粉特性要求及廠家的生產(chǎn)工藝要求較高。

一體成型電感壓制成型示意(來源:小魚教你模數(shù)電)

四、熱處理

在軟磁復(fù)合材料的制備過程中,壓制成型工藝會在粉體內(nèi)產(chǎn)生大量內(nèi)應(yīng)力和位錯,不僅降低了機械強度,而且會增加材料的矯頑力,在磁心被磁化時會阻礙疇壁位移,從而降低磁導(dǎo)率并增加磁滯損耗。因此需要通過適當(dāng)?shù)臒崽幚恚行п尫艃?nèi)應(yīng)力、降低雜質(zhì)體積分?jǐn)?shù),進而提高磁心的有效磁導(dǎo)率。

磁心的退火溫度選擇一般應(yīng)控制在合適的溫度范圍,同時要兼容磁粉材質(zhì)、絕緣層熱穩(wěn)定性及具體的應(yīng)用場景。此外,在實際生產(chǎn)中由于受限于線圈的耐受溫度,一體成型電感一般在低溫下進行烘烤。

 

參考來源:

1、董博儒.一體成型電感用軟磁復(fù)合材料的制備與磁性能研究[D].華中科技大學(xué).

2、李春龍.基于SiO2絕緣包覆工藝的軟磁復(fù)合材料磁性能的研究[D].華南理工大學(xué).

3、周瑞霖,文美琪,李奇,等.基于軟磁復(fù)合磁心的一體成型電感設(shè)計及性能分析[J].磁性材料及器件.


粉體圈 Corange

作者:Corange

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