2024年10月17日，東北大學宣布成立FOX公司，這是一家以低成本大規模生產β-氧化鎵（β-Ga₂O₃）晶片為目標的新創公司。FOX采用了該大學和大學新創公司C&A聯合開發的無貴金屬單晶生長技術，旨在以比SiC更低的成本生產出低缺陷程度與硅相當的β-Ga₂O₃襯底。

用OCCC方法生產的β-Ga₂O₃晶體（資料來源：東北大學）

與碳化硅和氮化鎵（GaN）相比，β-Ga₂O₃具有更寬的帶隙和更低的能量損耗，因此有望成為下一代功率半導體材料。此外，與硅一樣，β-Ga₂O₃也可以從原材料熔體中熔融生長，因此可一次生產出大量高質量單晶。這種生長速度比SiC快10-100倍，理論上可以低成本、低缺陷地生產單晶襯底。

然而，在傳統的晶體生長方法中，盛放高熔點氧化物熔液的坩堝使用了貴金屬銥（2024年8月行情約為26,000日元/克），并且需要定期進行重鑄。因此，銥相關的成本占了包括半導體前段工藝中的一部分薄膜制造成本的60%以上，這使得降低β-Ga₂O₃器件制造成本變得困難。目前，β-Ga₂O₃襯底比SiC更昂貴，β-Ga₂O₃的普及并未取得進展。此次成立的初創企業FOX正是為了應對這一挑戰而成立的。

可與硅媲美的低缺陷晶片，生產成本低于碳化硅

FOX采用OCCC（冷容器氧化物晶體生長）方法，無需使用貴金屬坩堝，即可生產出β-Ga₂O₃塊狀單晶，其低缺陷程度可與硅媲美。其目的是開發一種實用技術，以比碳化硅更低的成本生產出缺陷率低、可與硅媲美的β-Ga₂O₃晶錠/襯底。

OCCC法示意圖（來源：東北大學）

OCCC方法是由東北大學材料研究所的吉川明教授、該校未來科學技術聯合研究中心的鐮田啟副教授和C&A的研究小組共同開發的技術。2022年4月，該技術的開發和β-Ga₂O₃塊狀單晶體的成功生產的消息被公布。

2028年建立6英寸量產技術，目標2033年IPO

東北大學表示：“通過該技術在氧化鎵的價格和質量問題上取得突破，助力氧化鎵下一代功率半導體的社會應用，目標是將2030年預計僅為470億日元（根據富士經濟預測）的氧化鎵市場大幅擴展。” 初期階段將集中于使用OCCC法開發半導體級大尺寸化技術，加速技術開發，力爭在2028年內確立6英寸晶圓的量產技術。此后，他們將進一步擴建量產工廠，推進6英寸晶圓的驗證，計劃在2033年之前進行IPO（首次公開募股）。

粉體圈Coco編譯