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日本東麗開發磷化銦(InP)光半導體在硅基板上的高速集成技術

發布時間 | 2024-10-28 11:05 分類 | 技術前沿 點擊量 | 806
導讀:2024年10月23日,日本東麗株式會社(Toray Industries, Inc.)宣布公司已聯合東麗工程(TRENG)開發出一套基于InP(磷化銦)等光半導體在硅基板上集成的材料與工藝技術,并計劃在2025年前完成量...

2024年10月23日,日本東麗株式會社(Toray Industries, Inc.)宣布公司已聯合東麗工程(TRENG)開發出一套基于InP(磷化銦)等光半導體在硅基板上集成的材料與工藝技術,并計劃在2025年前完成量產技術的確立,力爭盡早實現商業化。

高速通信帶來的需求

據了解,隨著人工智能進步推動高速通信的擴展,數據中心數量不斷增加,人們擔憂因數據中心高耗電量帶來的電力需求激增。為應對這一挑戰,除了在長距離通信中應用光通信,低能量損耗的光通信技術也正加速在數據中心內部的短距離通信(<1米)中應用。

為此,通過硅光子技術在硅基板上形成光路,利用III-V族化合物半導體(如InP)實現低損耗的光電路。東麗此次正是聚焦于將硅光子技術應用于數據中心的短距離通信中,推動相關新材料和工藝技術的創新開發。

在硅光子技術中所需的光半導體集成 (來源:東麗)

新技術詳情

據報道,東麗此次開發內容包括一種用于激光快速轉寫InP等光半導體的“轉寫材料”,一種用于捕獲并直接接合到硅基板上的“捕獲材料”,以及相關的“組裝工藝技術”。

此前,東麗已開發出用于微型LED的轉寫材料,而此次應用的InP光半導體尺寸為640×90微米,盡管比普通微型LED大,但厚度僅為3微米。為此,東麗研發出一種新型轉寫材料,能夠在一次激光照射中無損轉寫超薄光半導體。

在捕獲材料方面,東麗運用了其耐熱高分子設計技術和粘附性控制技術,開發出能夠捕獲并直接接合至硅基板且易于釋放的新材料。

 

東麗提出的高速光半導體組裝工藝技術 (來源:東麗)

芯片粘合到硅基板上 (來源:東麗)

此外,東麗還與TRENG合作開發了一整套從激光轉寫到硅基板直接接合的工藝技術。通過驗證實驗顯示,該工藝的定位精度在±2微米以內,旋轉誤差在±1度以內,且裝配速度高達每分鐘6000個,具備極高的效率。

關于日本東麗

日本東麗株式會社(Toray Industries, Inc.)是一家全球領先的尖端材料制造公司,成立于1926年,主要專注于纖維、復合材料、化學品、電子和信息材料等領域的研發和生產。近年來,東麗積極推動光電子與硅光子技術的發展,通過高性能材料和創新技術支持半導體、光通信等領域的進步。

 

粉體圈編譯

作者:粉體圈

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