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京瓷(kyocera)開發(fā)出用于下一代半導(dǎo)體芯片測試的新型氮化硅

發(fā)布時間 | 2024-11-04 17:45 分類 | 技術(shù)前沿 點(diǎn)擊量 | 586
氮化硅
導(dǎo)讀:京瓷(kyocera)宣布開發(fā)出用于下一代微芯片功能測試用的新型氮化硅陶瓷材料,它的熱膨脹系數(shù)和抗彎強(qiáng)度都得到加強(qiáng),這使得其能夠在測試下一代微芯片時,用于生產(chǎn)接觸探針之間距離非常窄的薄氮...

最近,京瓷(kyocera)宣布開發(fā)出用于下一代微芯片功能測試用的新型氮化硅陶瓷材料,它的熱膨脹系數(shù)和抗彎強(qiáng)度都得到加強(qiáng),這使得其能夠在測試下一代微芯片時,用于生產(chǎn)接觸探針之間距離非常窄的薄氮化硅板。


半導(dǎo)體探針卡是一種精密的電子測試工具,用于在晶圓級測試中接觸半導(dǎo)體芯片的各個測試點(diǎn)(通常稱為焊盤或Pad)。通過接觸點(diǎn),探針卡可以傳輸電信號,從而檢測芯片的功能、性能以及電氣特性。探針卡通常安裝在自動測試設(shè)備(ATE)上,用于在晶圓切割之前的初步篩選,以剔除不合格的芯片。這些探針就安裝在氮化硅導(dǎo)板上,可以是金屬觸點(diǎn)、彈簧探針、MEMS探針等,探針的布局和間距需要精確設(shè)計(jì)(探針之間的距離通常只有幾十微米,每個導(dǎo)板多達(dá)10萬個探針),以確保能夠準(zhǔn)確接觸晶圓上的測試點(diǎn)。除了高機(jī)械和彎曲強(qiáng)度來支撐探針,氮化硅導(dǎo)板的熱穩(wěn)定性、絕緣性可以減少膨脹變形導(dǎo)致電阻變化,確保不會電流泄露,這些都是指向測試準(zhǔn)確的關(guān)鍵因素。

熱膨脹系數(shù)提升

京瓷披露,新型氮化硅的熱膨脹系數(shù)有效提高,例如它在150℃下是原先材料的兩倍,另外導(dǎo)板擁有大于800MPa(兆帕)的高抗彎強(qiáng)度。氮化硅基板配合探針卡,半導(dǎo)體測試過程可以更加高效、精準(zhǔn),確保芯片的質(zhì)量和性能。


編譯整理 YUXI

作者:粉體圈

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