近日在衢州市召開的“工業強市、產業興市”打造高質量發展建設共同富裕示范區市域樣板推進會上，第四批龍游縣簽約了計劃總投資達10億元的氮化鋁單晶襯底項目，規劃建設年產5萬片2-6英寸AlN單晶襯底生產線。
在已披露的項目信息中，項目的實施主體尚未公開，但國內具備氮化鋁單晶襯底技術研發和生產能力的高科技企業有限，能夠制備2英寸以上AlN單晶的企業/研發機構更是屈指可數，結合項目建設地點，圈內人士大概率可以有一些判斷。
直徑60 mm氮化鋁單晶襯底
氮化鋁單晶襯底是制備深紫外LED芯片、5G射頻前端濾波器、光學窗口、MEMS壓電傳感器等高端器件的關鍵材料，廣泛應用于半導體、光電子、通信等領域，支持高溫、高頻、高功率器件的制造。本次項目計劃年初啟動，在2026年完成生產線建設并投入試生產。
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作者：粉體圈
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