7月8日美通社報(bào)道，美國(guó)HexaTech公司宣布推出優(yōu)化版本氮極性氮化鋁（N-polar AlN）襯底——相比傳統(tǒng)的鋁極性（Al-polar）外延生長(zhǎng)，氮極性面有望帶來(lái)顯著的性能提升。此項(xiàng)全新氮極性工藝可應(yīng)用于HexaTech所有標(biāo)準(zhǔn)2英寸直徑襯底產(chǎn)品。

作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料，單晶氮化鋁襯底在光電領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)顯著，基于其進(jìn)行高功率半導(dǎo)體器件開發(fā)，在深紫外LED消毒、高效電力轉(zhuǎn)換開關(guān)，以及衛(wèi)星通信射頻組件等領(lǐng)域應(yīng)用極具優(yōu)勢(shì)。Hexatech公司透露，這項(xiàng)N極過程技術(shù)已經(jīng)開發(fā)了一年多，可以直接按直徑和體積擴(kuò)展，并且很好地與HexaTech之前宣布的100毫米擴(kuò)展計(jì)劃相契合，該計(jì)劃部分得到了美國(guó)國(guó)防部DARPA UWBGS計(jì)劃的支持。

鋁極性更穩(wěn)定，但電子移動(dòng)受限，因此更適用于常規(guī)器件。N極性晶體生長(zhǎng)難度更高，須解決表面氧化和缺陷等問題，但導(dǎo)熱更好，絕緣性更好，高頻性能更好。作為全球領(lǐng)先的單晶物理氣相傳輸（PVT）生長(zhǎng)的氮化鋁（AlN）襯底商業(yè)供應(yīng)商，HexaTech再次推動(dòng)前沿產(chǎn)品能力，以滿足客戶的需要。

編譯整理 YUXI