隨著市場對高頻高功率半導體的需求不斷增加，氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的高電子遷移率和耐高壓特性，成為重要材料。但GaN器件在高功率運行時會產生大量熱量，散熱問題成為限制其性能提升的關鍵。金剛石因其超高的熱導率，被認為是理想的GaN基板材料之一。
住友電氣工業(yè)公司與大阪公立大學于11日聯合宣布，他們成功在直徑2英寸的多晶金剛石（PCD）基板上制造了GaN晶體管。與傳統(tǒng)用于該晶體管的硅基板相比，熱阻降低至四分之一，與碳化硅（SiC）基板相比，熱阻減少至二分之一。由于GaN晶體管主要用于無線高頻半導體，這項技術的進步將大幅提升其散熱性能，從而實現更高的頻率和功率輸出。
在PCD基板上制作的 GaN 晶體管
根據報告，研究團隊通過采用拋光技術，將PCD的表面粗糙度降低到原來的一半，并直接將GaN層從硅基板轉移至PCD基板上。由于金剛石具有極高的熱導率，因此能夠有效降低熱阻。傳統(tǒng)的GaN晶體管在工作時往往會因自身發(fā)熱而影響信號傳輸，而這一改進有望解決該問題。
粉體圈Coco編譯
作者：Coco
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