6月4日，美國氮化物全球公司（Nitride Global,Inc）與韓國半導體核心設備廠商STi Co.,Ltd簽約，共同推進基于ALON涂層的先進封裝技術商業化。這種前沿封裝與目前的陶瓷基板覆銅（DBC/AMB）路線相比有極大差異，確實實現替代將顛覆現有產業格局，值得關注。
氮化物全球公司推出以涂層替代基板的封裝示意圖
氮化物全球的AION涂層特性參數
這項封裝技術是Nitride Global和Fraunhofer FEP（弗勞恩霍夫電子束和等離子體技術研究所）的合作成果，或可稱之為“用于電絕緣和熱傳導應用的濺射沉積鋁氧氮薄膜”，旨在利用AlON獨特的電絕緣性、附著力、熱膨脹系數（CTE）匹配和耐久性，為半導體設備和電力電子設備提供出色的電氣隔離、高熱導率、優異的附著力和對覆銅板的最小應力。
Fraunhofer FEP專業提供電子束和磁控濺射裝備與涂層服務，Nitride Global則掌握陶瓷材料專業知識。對于封裝用ALON涂層技術而言，氧化鋁和氮化鋁靶材在內的材料配比，結合具體的應用場景，二者合作使得這項技術得以開發。再結合本文的簽約內容，STi將支持開發滿足對基于AlON的熱管理解決方案日益增長的需求的工業規模沉積設備，并將保留某些在韓國市場分銷的權利。
啟東
作者：粉體圈
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