三安光電近日宣布，旗下湖南三安半導體基地8吋碳化硅（SiC）芯片產線已完成設備調試并正式通線，項目進展快于預期，標志著我國在第三代半導體高端制造領域取得重要突破。
據披露，該產線從建設到通線僅用不到一年時間。截至2025年8月，湖南三安已形成完整的碳化硅產業鏈配套能力：6吋碳化硅產能達1.6萬片/月，8吋襯底與外延產能分別為1000片/月和2000片/月。作為總投資160億元的重點項目，湖南三安半導體基地定位為全產業鏈垂直整合平臺，達產后將具備年產36萬片6吋晶圓和48萬片8吋碳化硅晶圓的制造能力。
相較于當前主流的6吋產線，8吋碳化硅芯片在成本與性能上優勢顯著。數據顯示，8吋晶圓可用面積是6吋的1.83倍，以5x5mm芯片為例，單張8吋晶圓可切割1080顆芯片，較6吋提升87.5%，能降低單位成本30%以上。同時，其工藝均勻性更優，可顯著提升器件性能，在新能源汽車領域應用時，能使續航里程增加6%。
該產線通線將強化三安光電在新能源汽車、光伏儲能、充電樁等領域的供貨能力。結合此前與意法半導體合資的重慶8吋車規級產線布局，三安光電已構建起覆蓋材料到器件的全國性碳化硅產能網絡。業內認為，這一進展將加速我國第三代半導體國產化進程，為高端功率半導體自主可控提供關鍵支撐。
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作者：粉體圈
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