中國電子科技集團公司第二研究所（以下簡稱“中電科二所”）作為我國在微電子封裝組裝、半導體裝備領域攻堅克難的“國家隊”，自1962年成立以來，始終將科技創新作為立所之本，經六十余載潛心耕耘，鍛造出其核心競爭力的兩大基石——電氣互聯與真空熱工工藝技術，構建起了服務國家重大戰略需求的電子封裝組裝、真空熱處理與焊接工藝裝備矩陣。

本站中國粉體工業萬里行我們一起走近中電科二所，了解其基于兩大核心工藝技術的部分代表性成果——多層共燒陶瓷產品體系以及第三代半導體碳化硅（SiC）關鍵裝備，以此管窺中電科二所在強化我國電子信息產業鏈供應鏈關鍵環節基礎、推動產業技術迭代與應用升級過程中，所作出的不可或缺的努力與取得的標志性進展。

電氣互連：以多層共燒陶瓷器件制備技術鑄造電子“神經”

電氣互連技術是實現電子元器件間可靠物理連接與高效信號/電力傳輸的關鍵，堪稱現代電子系統的“血脈經絡”。多層共燒陶瓷技術作為電子系統高密度、高性能、高可靠性互聯的核心工藝技術之一，關鍵工藝裝備長期依賴國外。中電科二所依托在此領域數十年的深耕積累起來的高端智能制造和工藝技術系統集成能力，發展出了國內領先的多層共燒陶瓷裝備全鏈條供應能力，建成了擁有各級凈化廠房3000余平米、各類生產檢測設備近百臺套的先進制造體系，打造了國內首個微電子共燒陶瓷器件數字化車間，可為用戶提供覆蓋從陶瓷生瓷片裁片到生坯熱切工藝流程的單機工藝裝備及整線系統交鑰匙工程服務，目前已在消費電子、集成電路、光伏發電、新能源汽車、軌道交通等多個領域得到應用。

典型應用產品：

1、LTCC/HTCC共燒陶瓷管殼、基板

中電科二所在HTCC/LTC多層共燒陶瓷領域具備齊全的工藝裝備產品譜系，覆蓋多層共燒陶瓷裁片到熱切工藝段，同時具備LTCC/HTCC管殼、基板制造能能力，廣泛應用于高端無線通信、高性能傳感器、汽車電子控制單元等

2、陶瓷靜電吸盤

半導體制造、平板顯示等精密制造領域的核心工藝設備中，陶瓷靜電吸盤（ESC）是支撐與固定晶圓或基板的重要部件。當前，全球多層陶瓷靜電卡盤（ESC）市場由日本、美國和韓國企業主導，國產化率較低。基于深厚的HTCC陶瓷基板工藝積累，二所目前可提供陶瓷靜電吸盤裁片、沖孔、填孔、印刷、疊片、層壓等關鍵工序的相關設備，為國內半導體設備關鍵部件的國產化供應和良率提升提供了強力支撐。

裁片（1）、沖孔（2）、填孔印刷（3）、疊片（4）、層壓（5）

2、AMB陶瓷基板

AMB陶瓷基板作為承載IGBT、SiC MOSFET等大功率芯片的首選基板，是通過在高溫下使活性金屬焊膏（通常含Ti, Zr等）與陶瓷表面發生化學反應，形成高強度的冶金結合。不過，與前述LTCC/HTCC主要在未燒的生瓷片上印刷不同，AMB工藝是在已燒成的硬質、易碎熟瓷片上進行焊料和阻焊層的精密印刷。為此，二所專門針對AMB工藝中印刷制程，研發了可用于大規模生產的多種單機印刷裝備以及印刷數字化整線系統供應能力，并已通過行業頭部客戶的大規模生產驗證。其中，數字化印刷線涵蓋基板正反面印刷、印刷前后稱重、印刷AOI、烘干等制備及檢測工序，配套研發專用SCADA系統，分析追溯各項生產數據，實現了印刷工序段的全覆蓋。

AMB基板單機全自動印刷裝備

分段式、連續式數字化印刷線

真空熱工：真空熱工，勇闖第三代半導體碳化硅高地

碳化硅半導體因其禁帶寬度大、臨界擊穿場強高、熱導率極佳、電子飽和漂移速度高等優越物理特性，成為突破硅基半導體材料極限、實現高功率、高效率、高溫、高頻率電力電子與射頻電路的革命性材料。然而，作為產業鏈最上游也是技術壁壘最高的環節，高質量、大尺寸碳化硅單晶材料的制備與高效、低損傷的襯底加工等技術長期以來主要由國外領先企業掌握。

二所憑借60余年真空熱工領域的耕耘經驗以及40余年真空設備制造經驗，聚焦以碳化硅(SiC)為代表第三代半導體的關鍵核心技術攻關。目前，二所重點攻克大尺寸碳化硅單晶生長、襯底激光剝離加工技術及裝備，培育了晶錠生長設備、激光剝離加工設備等明星產品，可提供碳化硅襯底整線集成服務，整體達到了國內先進水平，其中最具代表性的“碳化硅材料加工智能產線”提供了8至12英寸碳化硅材料加工智能解決方案，可實現從晶錠制備到晶片成型的數字化閉環體系，顯著提升了我國在碳化硅關鍵材料與核心裝備領域的國產化水平。

小結

自成立至今，中電科二所始終立足國家戰略需求、深耕電子封裝和真空熱工兩大核心工藝領域，并通過持續深化“裝備+工藝技術+智能制造”的融合發展模式，加大“數字化、網絡化、智能化”技術的深度賦能，在支撐國家重大項目攻關、助力產業鏈供應鏈安全可靠、服務現代化產業體系構建的道路上，持續塑造著中國微電子與半導體裝備技術版圖的新格局。

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