中科院物理所成功研制6英寸碳化硅單晶襯底

發布時間 | 2014-12-09 21:31 分類 | 技術前沿點擊量 | 6487

碳化硅

導讀：碳化硅（SiC）單晶是一種寬禁帶半導體材料，被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外，由于SiC和氮化鎵的晶格失配小，SiC單晶是氮化鎵基LED、肖特基二極管等器件的理想襯底材料。為降...

碳化硅單晶是一種寬禁帶半導體材料，被廣泛應用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。此外，由于碳化硅SiC和氮化鎵的晶格失配小，碳化硅單晶是氮化鎵基LED、肖特基二極管等器件的理想襯底材料。為降低器件成本，下游產業對碳化硅單晶襯底提出了大尺寸的要求，目前國際市場上已有6英寸產品，預計市場份額將逐年增大。

中國科學院物理研究所/北京凝聚態物理國家實驗室（籌）先進材料與結構分析實驗室陳小龍研究組長期從事碳化硅單晶生長研究工作，團隊人員通過自主創新和探索，獲得了碳化硅單晶生長設備、晶體生長和粉體技術等一整套自主知識產權。

2014年11月，團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作，成功解決了6英寸擴徑技術和晶片加工技術，研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。拉曼光譜測試表明生長出的碳化硅晶體為4H晶型。這一成果標志著物理所的SiC單晶生長研發工作已達到國際先進水平。6英寸SiC單晶襯底的研發成功，為高性能SiC基電子器件的國產化提供了材料基礎。

(來源：中國科學院)