最近，包括德國、法國、美國的多家高校和研究院所的研究人員共同報道了常壓下制備高質量單同位素六方氮化硼（HBN）晶體的研究進展，而這是石墨烯基器件開發(fā)的利好消息。

石墨烯對周圍環(huán)境極為敏感，因此用作器件常常用HBN進行封裝。因此，高質量HBN的量產(chǎn)是石墨烯器件規(guī)模化生產(chǎn)的重要條件。

據(jù)報道，大氣壓下生長HBN晶體的方法是由美國堪薩斯州立大學James Edgar領導的研究小組開發(fā)的，經(jīng)過德國亞琛大學石墨烯研究人員Christoph Stampfe確認，這些六方氮化硼在石墨烯器件上應用所表現(xiàn)出來的性能基本相當于日本筑波大學高溫高壓條件下制備的超純氮化硼，甚至某方面更好。該方法還可以同時進行同位素含量控制。法國ONERA-CNRS進行的發(fā)光測試驗得出了相同的結論。

論文信息：Excellent electronic transport in heterostructures of graphene and monoisotopic boron-nitride grown at atmospheric pressure.（在大氣壓下生長的石墨烯和單同位素氮化硼異質結構中具有優(yōu)異的電子輸運特性），2020年，DOI:10.1088/2053-1583/ab89e5。

粉體圈 編譯 YUXI