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陶瓷金屬化新貴養成——珠海晶瓷5萬張/月AMB基板產線投產

發布時間 | 2022-05-16 15:18 分類 | 行業要聞 點擊量 | 2348
氮化硅 氮化鋁 氧化鋁
導讀:活性金屬釬焊法(Active Metal Brazing, AMB)以其操作簡單、時間周期短、封接性能好并且對陶瓷的適用范圍廣,是當前最有前景的陶瓷基板金屬化路線。近日,國內陶瓷線路板專業生產商——珠海晶瓷電...

活性金屬釬焊法(Active Metal Brazing, AMB)以其操作簡單、時間周期短、封接性能好并且對陶瓷的適用范圍廣,是當前最有前景的陶瓷基板金屬化路線。近日,國內陶瓷線路板專業生產商——珠海晶瓷電子科技有限公司的氮化硅AMB產線正式投入運營,一期產能達5萬張/月。

AMB覆銅基板

AMB覆銅基板(來源:珠海晶瓷)

據珠海晶瓷晏總介紹,常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化鈹(BeO)等。雖然應用最廣泛的當屬氧化鋁無疑,但導熱率僅為23W/m?K的氧化鋁已顯疲軟,并且氧化鋁的熱膨脹系數和芯片的差異較大,容易因內部應力造成器件損壞,傳統的DBC工藝的基板冷熱沖擊也無法達到車規IGBT苛刻要求。因此,隨著功率模塊越來越高的導熱需求,擁有低熱膨脹系數、高強度、高熱導率的氮化硅已率先在高鐵、汽車電子、工業電子、通訊、軍事、航空航天等領域得到廣泛應用。珠海晶瓷的氮化硅AMB產品可以做到Si3N4≥70W/m.k,強度達到800MPa,最大尺寸138*90mm,最厚銅厚可達800-1200um,冷熱沖擊可達3000次以上,主要參數可對標甚至優于國際同行水平。


氧化鋁陶瓷主要采用直接敷銅法(Direct Bonded Copper method,DBC)金屬化,但非氧化物陶瓷的氮化鋁、氮化硅并不適合DBC工藝,目前國際上以活性金屬釬焊法為主——AMB是在釬料中加入活性元素,通過化學反應在陶瓷表面形成反應層,提高釬料在陶瓷表面的潤濕性,從而進行陶瓷與金屬間的化學鍵合。氮化硅導熱率更好,膨脹系數與硅片接近,強度更大,故氮化硅的AMB工藝制作的基板可以獲得更好的熱穩定性和可靠性。

晶瓷核心研發團隊從2015年正式進入行業,通過前期的技術輸出和貿易服務,在2018年正式成立公司并快速發展壯大,晶瓷目前主要產品有厚膜印刷系列產品、DPC(直接電鍍銅)、DBC相關產品。目前擁有先進的陶瓷線路板加工設備,在陶瓷激光打孔及切割、陶瓷金屬化、陶瓷加厚銅電鍍及通孔填孔電鍍、微細線路制作等制程都具備與國際技術接軌的能力。憑借對市場的認識和自身的技術自信,公司先后于2021年1月和6月分別成立DBC和AMB專案研發小組,并迅速實現突破。



尤其是AMB項目在自主研發過程中形成了如下優勢:

一:良率提升方面擁有陶瓷預處理工藝來降低釬焊孔洞率;

二:降低成本方面;掌握活性釬焊料配方;掌握釬焊層蝕刻配方,物料全部國產化,降低成本及掐脖子問題;

三:工藝穩定性方面:釬焊印刷工藝技術,降低釬焊厚度,降低成本,提升蝕刻良率的技術;

而這些技術已申請技術秘密保護,其他主要技術也正在開展專利布局。

 

 

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作者:粉體圈

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