近日，哈爾濱晶彩材料科技有限公司20噸/年高純3C-SiC微粉項目建成投產，而這將是晶彩材料打造中國規模最大、純度最高、種類最齊全、價格最低廉的高純碳化硅粉料生產基地愿景的重要里程碑。

超高純、類球形3C-SiC微粉（來源：晶彩材料）

晶彩材料張總介紹，常見并廣泛用于耐火、超硬磨料、先進陶瓷等行業的六方晶系碳化硅也被稱為α-SiC，而公司的3C-SiC（或稱β-SiC）屬立方晶系（金剛石晶型），也叫立方碳化硅。

高純立方碳化硅粉體具有雜質含量低、比表面積大、燒結活性高、導熱系數高及電絕緣等特點，以3C-SiC晶體的等軸結構特點決定了它具有比α-碳化硅好的自然球度、硬度和較低結晶溫度，且β-SiC晶型轉換過程中，其體積也會發生變化，對陶瓷燒結致密性能起到良好的作用，從而增加碳化硅陶瓷的韌性和強度等綜合性能。但是長久以來由于受制備技術限制，高純3C-SiC很難實現規模量產。

據張總介紹，公司采用“雜化官能度硅烷無引發懸浮聚合法”制備的 3C 碳化硅粉體具有超高純度（4N\5N\6N）、粒徑均一、體積分數大（約50%）及粒徑可調、高結晶的特點。粒徑可根據客戶需要定制，范圍可從亞微米到200微米，可批量化生產。

可控晶型

均勻粒徑可調

各純度級別

高體積分數

高純度3C-SiC粉體具有雜質含量極低、比表面積大、燒結活性高、高強度、高硬度、高彈性模量、高比剛度、高導熱系數、低熱膨脹系數等特點，這使其成為制備半導體碳化硅陶瓷、熱管理導熱填料的重要材料，可廣泛用于微電子工業、航空、航天、石油化工、機械制造、核工業等領域，尤其作為導體工藝和光機裝備用高精度部件，服務于歐美對我嚴格限制的微電子領域。

其他

晶彩材料的其他項目還包括30噸/年高純石墨粉和30000平方米/年高純石墨氈項目：

采用前驅體熱解-石墨化工藝制備的高純石墨粉具備純度高（6N）由于制備過程無鹵素和氮元素影響，降低石墨粉中非金屬元素的含量，減少對后續產品的不利作用；同時，高純石墨粉粒徑可進行調控，粒徑可實現毫米到微米尺寸調控，滿足不同客戶的定制需求。可滿足碳化硅單晶、金剛石晶體生長及高純碳化物的制備需要，同時在半導體等領域也有廣泛的應用。

采用無鹵素、無氮氣特殊純化技術制備的高純石墨保溫材料（石墨氈）具備純度高（灰分低于2ppm）的特點，特殊工藝降低石墨氈中非金屬元素的含量，降低了對后續客戶使用過程的不利影響。同時，由于特殊工藝保持了石墨氈原有的纖維結構和高孔隙率特征，使其在高于 2000℃時仍然具有較低的導熱系數和較低的密度（小于1g/cm³），廣泛應用于第三代半導體和其它高溫高純材料的制備領域。

關于晶彩材料

2017年成立的哈爾濱晶彩材料科技有限公司位于哈爾濱高新技術開發區，與哈爾濱工業大學聯合自主研發，擁有一支經驗豐富的技術研發團隊，具有卓越的研發能力，攻克了半碳化硅粉體材料的超高純度、粒徑尺度及均一性、晶型一致性等關鍵生產技術，研發了10余項生產新材料的新工藝與新技術，獲國家發明專利20余項。公司擁有省內唯一一家高純粉末材料研發及檢測中心，以及超高純碳化硅粉料生產基地，填補了國內超高純、類球形微觀形貌碳化硅粉體的空白。

啟東

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