6月27日，浙江晶盛機(jī)電股份有限公司（晶盛機(jī)電）官宣取得第三代半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域重要技術(shù)突破，成功研發(fā)出具有國際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)摻雜均勻性4%以內(nèi)的外延質(zhì)量。

8英寸單片式碳化硅外延設(shè)備

8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備團(tuán)隊(duì)合影

2021年，晶盛機(jī)電取得關(guān)鍵進(jìn)展，成功生長出6英寸碳化硅晶體，外延設(shè)備已通過客戶驗(yàn)證。去年年底，晶盛機(jī)電成功生長出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體。此次8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備的成功研發(fā)，標(biāo)志著晶盛機(jī)電在碳化硅行業(yè)的技術(shù)研發(fā)能力邁上了新臺階，為國內(nèi)碳化硅行業(yè)技術(shù)、產(chǎn)能升級提供了充分的設(shè)備保障。

據(jù)悉，8英寸單片式碳化硅外延設(shè)備可兼容6、8寸碳化硅外延生產(chǎn)，在6英寸外延設(shè)備原有的溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分流控制等技術(shù)基礎(chǔ)上，解決了腔體設(shè)計(jì)中的溫場均勻性、流場均勻性等控制難題，實(shí)現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。目前，在子公司晶瑞的8英寸襯底基礎(chǔ)上，已實(shí)現(xiàn)8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備的自主研發(fā)與調(diào)試，外延的厚度均勻性1.5%以內(nèi)、摻雜均勻性4%以內(nèi)，已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。

相比于6英寸，8英寸碳化硅晶圓的邊緣損耗更小、可利用面積更大，未來通過產(chǎn)量和規(guī)模效益的提升，成本有望降低60%以上。晶盛機(jī)電的8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備，可為行業(yè)提供更為先進(jìn)的技術(shù)支持，推動碳化硅行業(yè)的快速發(fā)展。

參考來源：晶盛機(jī)電公號