隨著功率器件特別是第三代半導(dǎo)體的興起和應(yīng)用，半導(dǎo)體器件逐漸向高功率、小型化、集成化和多功能方向發(fā)展，這也對(duì)封裝基板的性能提出了更高的要求。由于可在1500~1850℃的高溫下進(jìn)行陶瓷與金屬的共燒，實(shí)現(xiàn)兩種材料不同層之間的垂直互連，高溫共燒陶瓷（HTCC）產(chǎn)品具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度、導(dǎo)熱性能以及化學(xué)穩(wěn)定性，因此在對(duì)熱穩(wěn)定性和基體機(jī)械強(qiáng)度要求較高的高頻、高功率微波電路和功率模塊等領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)尤為明顯，廣泛應(yīng)用于制備各類電子組件、3D多芯片模塊、智能3D封裝、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）封裝以及實(shí)驗(yàn)室芯片系統(tǒng)等。

目前高溫共燒陶瓷基板主要有氧化鋁體系和氮化鋁體系，其中氧化鋁體系具有成本低、機(jī)械強(qiáng)度好，絕緣性好等優(yōu)點(diǎn)，成為目前HTCC產(chǎn)品市場(chǎng)的主力軍。除此之外，體系中還包括鎢、鉬、錳等難熔金屬材料金、燒結(jié)助劑和著色劑等組成成分。一般來說，用作 HTCC 的氧化鋁陶瓷粉體純度一般在 90~95%，氧化鋁粉體含有量不同，其電學(xué)性質(zhì)幾乎不受影響，但是其機(jī)械性能及熱導(dǎo)率變化很大。純度低的基板中玻璃相較多，表面粗糙度大；而純度越高的基板，越光潔、致密、介質(zhì)損耗越低，還可滿足薄膜電路精度高的要求，但是原材料質(zhì)量和制備工藝要求也更高。

目前，由于較高的技術(shù)門檻，我國(guó)高純氧化鋁基板的市場(chǎng)大部分依賴于進(jìn)口，針對(duì)這種情況，四川六方鈺成電子科技有限公司在此領(lǐng)域的研發(fā)生產(chǎn)上沉淀多年的經(jīng)驗(yàn)，開發(fā)了一種基于高純氧化鋁粉體的99HTCC材料體系，其氧化鋁純度高達(dá)99.6%，不僅在介質(zhì)損耗、抗彎強(qiáng)度、熱導(dǎo)率等方面均超越了傳統(tǒng)的90、92黑瓷HTCC，還可實(shí)現(xiàn)HTCC基板的厚薄膜混合集成，既可在內(nèi)層實(shí)現(xiàn)50微米的線寬線距，還可在表層則制作具有更高精度的薄膜電路，布線密度顯著提高，有望推動(dòng)射頻微波SiP組件的小型化、高性能化和低成本化。

即將于4月23-25日在寧波舉辦的“2024年全國(guó)氧化鋁粉體與制品創(chuàng)新發(fā)展論壇（第八屆）”，粉體圈邀請(qǐng)了來自四川六方鈺成電子科技有限公司總經(jīng)理劉志輝博士，為大家?guī)韴?bào)告《基于高純氧化鋁的HTCC材料體系開發(fā)》，報(bào)告將分享六方鈺成所開發(fā)的高純氧化鋁HTCC材料體系的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)及其在器件制造精密技術(shù)中的應(yīng)用等，如您想了解更多關(guān)于HTCC的技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用機(jī)會(huì)，可了解會(huì)議詳情并報(bào)名，到會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)一步交流哦！

報(bào)告人介紹

劉志輝，四川六方鈺成電子科技有限公司總經(jīng)理，清華大學(xué)材料學(xué)博士，高級(jí)工程師，長(zhǎng)期從事陶瓷基板、高密度封裝、微系統(tǒng)集成技術(shù)研究，作為主要完成人，高效流延法制備陶瓷基板技術(shù)、寬帶高密度LTCC集成技術(shù)等成果獲得省部級(jí)科技獎(jiǎng)項(xiàng)。

從業(yè)經(jīng)歷：

1999.8-2002.8 珠海粵科清華電子陶瓷有限公司 技術(shù)部經(jīng)理

2002.9-2006.7 清華大學(xué) 材料系 工學(xué)博士

2006.8-2018.7 中電29所 工藝副總師、科技委委員

2019.5-至今 四川六方鈺成電子科技有限公司 總經(jīng)理

關(guān)于六方鈺成

六方鈺成生產(chǎn)車間

四川六方鈺成電子科技有限公司是一家從事高性能電子陶瓷基板、厚薄膜混合集成電路研發(fā)及生產(chǎn)的科技創(chuàng)新型企業(yè)，其技術(shù)團(tuán)隊(duì)由出身清華大學(xué)、在該領(lǐng)域有多年研究經(jīng)驗(yàn)的劉總帶領(lǐng)，主要產(chǎn)品包括99.6%氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板、陶瓷熱沉、薄膜無源器件、HTCC材料及封裝基板等，廣泛應(yīng)用于射頻微波、光通信、汽車電子、醫(yī)療電子等領(lǐng)域。

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