隨著功率器件特別是第三代半導體的興起和應用，半導體器件逐漸向高功率、小型化、集成化和多功能方向發展，這也對封裝基板的性能提出了更高的要求。由于可在1500~1850℃的高溫下進行陶瓷與金屬的共燒，實現兩種材料不同層之間的垂直互連，高溫共燒陶瓷（HTCC）產品具有優異的機械強度、導熱性能以及化學穩定性，因此在對熱穩定性和基體機械強度要求較高的高頻、高功率微波電路和功率模塊等領域的應用優勢尤為明顯，廣泛應用于制備各類電子組件、3D多芯片模塊、智能3D封裝、微機電系統（MEMS）封裝以及實驗室芯片系統等。

目前高溫共燒陶瓷基板主要有氧化鋁體系和氮化鋁體系，其中氧化鋁體系具有成本低、機械強度好，絕緣性好等優點，成為目前HTCC產品市場的主力軍。除此之外，體系中還包括鎢、鉬、錳等難熔金屬材料金、燒結助劑和著色劑等組成成分。一般來說，用作 HTCC 的氧化鋁陶瓷粉體純度一般在 90~95%，氧化鋁粉體含有量不同，其電學性質幾乎不受影響，但是其機械性能及熱導率變化很大。純度低的基板中玻璃相較多，表面粗糙度大；而純度越高的基板，越光潔、致密、介質損耗越低，還可滿足薄膜電路精度高的要求，但是原材料質量和制備工藝要求也更高。

目前，由于較高的技術門檻，我國高純氧化鋁基板的市場大部分依賴于進口，針對這種情況，四川六方鈺成電子科技有限公司在此領域的研發生產上沉淀多年的經驗，開發了一種基于高純氧化鋁粉體的99HTCC材料體系，其氧化鋁純度高達99.6%，不僅在介質損耗、抗彎強度、熱導率等方面均超越了傳統的90、92黑瓷HTCC，還可實現HTCC基板的厚薄膜混合集成，既可在內層實現50微米的線寬線距，還可在表層則制作具有更高精度的薄膜電路，布線密度顯著提高，有望推動射頻微波SiP組件的小型化、高性能化和低成本化。

即將于4月23-25日在寧波舉辦的“2024年全國氧化鋁粉體與制品創新發展論壇（第八屆）”，粉體圈邀請了來自四川六方鈺成電子科技有限公司總經理劉志輝博士，為大家帶來報告《基于高純氧化鋁的HTCC材料體系開發》，報告將分享六方鈺成所開發的高純氧化鋁HTCC材料體系的優勢特點及其在器件制造精密技術中的應用等，如您想了解更多關于HTCC的技術發展及應用機會，可了解會議詳情并報名，到會議現場進一步交流哦！

報告人介紹

劉志輝，四川六方鈺成電子科技有限公司總經理，清華大學材料學博士，高級工程師，長期從事陶瓷基板、高密度封裝、微系統集成技術研究，作為主要完成人，高效流延法制備陶瓷基板技術、寬帶高密度LTCC集成技術等成果獲得省部級科技獎項。

從業經歷：

1999.8-2002.8 珠海粵科清華電子陶瓷有限公司 技術部經理

2002.9-2006.7 清華大學 材料系 工學博士

2006.8-2018.7 中電29所 工藝副總師、科技委委員

2019.5-至今 四川六方鈺成電子科技有限公司 總經理

關于六方鈺成

六方鈺成生產車間

四川六方鈺成電子科技有限公司是一家從事高性能電子陶瓷基板、厚薄膜混合集成電路研發及生產的科技創新型企業，其技術團隊由出身清華大學、在該領域有多年研究經驗的劉總帶領，主要產品包括99.6%氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板、陶瓷熱沉、薄膜無源器件、HTCC材料及封裝基板等，廣泛應用于射頻微波、光通信、汽車電子、醫療電子等領域。

寧波氧化鋁論壇會務組