以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料相較前兩代半導體材料，具有寬禁帶、高導熱率、高擊穿電場、高電子飽和漂移速率等物理特性，并且化學性能穩定，有很強的耐腐蝕性，因而在核能、軍工、航空航天等領域被廣泛應用。但由于碳化硅材料具有硬度高、斷裂韌性低的特點，在加工過程中極容易出現裂紋和損傷；同時，碳化硅表面加工的質量和精度的優劣會直接影響外延薄膜的質量及器件的性能，當前產業發展階段，化學機械拋光技術（CMP）是業界公認實現碳化硅襯底材料全局平坦化最有效的方法，但關于它的材料去除機理、過程變量對碳化硅表面材料去除率和表面質量的影響等許多問題尚未完全研究清楚，使得碳化硅產業化進程受到一定的影響。

氧化鈰（CeO₂）作為一種具有優異拋光性能的磨料，具有切削力強、拋光時間短、使用壽命長、拋光精度高的特點，常應用于光學玻璃器件、電視機顯像管、半導體晶片等器件的拋光。氧化鈰在拋光過程中化學穩定性較好，不易與拋光液中的其他成分發生不良反應，有利于維持拋光液的穩定性和使用壽命，相較于其他磨料，它對環境的影響較小，符合當下我國綠色化學和可持續發展的要求。并且有理論研究表明，氧化鈰可以有效促進碳化硅的表面改性，用于化學機械拋光有極大潛力提升襯底材料的去除率和平坦化效率。但是目前國內外商業化的氧化鈰磨料仍以亞微米等級為主，一方面囿于納米級產品開發難度，另一方面也缺少基于氧化鈰基拋光液用于碳化硅晶圓拋光的研究數據。

8月25日-26日，于江蘇無錫舉辦的“2024年全國精密研磨拋光材料及加工技術發展論壇”上，來自江南大學機械工程學院的倪自豐教授將在現場分享報告《納米氧化鈰磨粒的制備及其在碳化硅襯底拋光中的應用》，屆時他將重點介紹不同形貌納米氧化鈰磨粒的制備技術，分析氧化鈰磨粒對碳化硅襯底化學機械拋光性能的影響，并通過磨粒間隙能計算、分子動力學模擬和雙電層DLVO理論解析碳化硅材料的去除機理。如您對相關內容感興趣，歡迎了解會議詳情并報名參會哦！

關于報告人

倪自豐：江南大學機械工程學院教授/碩士生導。本科和碩士畢業于中國礦業大學材料科學與工程學院，博士畢業于中國礦業大學機電工程學院，美國克拉克森大學訪問學者，師從CMP領域國際知名專家S.V. Babu教授，主要從事第三代半導體晶圓襯底的高效超精密拋光加工工藝及機理研究。現任中國機械工程學會高級會員、無錫市半導體行業協會高級顧問。擔任Applied Surface Science、Tribology Letters、摩擦學學報等期刊審稿人。主持及參與相關國家級課題4項，省部級課題4項，發表學術論文八十余篇，其中SCI收錄三十余篇，授權發明專利5項，榮獲江蘇省科學技術二等獎和中國商業聯合會科學技術二等獎。

無錫拋光論壇