三菱材料公司于8月21日宣布，已經(jīng)開發(fā)出一種用于半導(dǎo)體先進(jìn)封裝工藝中放置半導(dǎo)體芯片的載體基板。這種方形硅基板具有高平坦度和低表面粗糙度，尺寸最大可達(dá)600mm。

圓形基板和方形基板的對比

在將多個半導(dǎo)體芯片（如芯粒）集成到一個封裝中以提高性能的情況下，半導(dǎo)體封裝工藝中常使用300mm晶圓等作為載體基板，這種工藝稱為晶圓級封裝（WLP）。然而，由于晶圓是圓形的，且封裝尺寸已擴(kuò)大至約100mm見方，導(dǎo)致載體基板上可容納的芯片數(shù)量受到限制，面臨一些挑戰(zhàn)。

半導(dǎo)體芯片在載體基板上的搭載示意圖。通過方形化和基板尺寸的擴(kuò)大，可以增加可容納的芯片數(shù)量

為了解決這一問題，正在探討使用方形的“方形化硅基板”。三菱材料公司基于這一需求，結(jié)合公司集團(tuán)積累的大型硅錠鑄造技術(shù)和獨特的加工技術(shù)，開發(fā)出了大面積的方形硅基板。該公司表示，這種基板除了可作為后續(xù)工藝中的載體基板外，還有望在先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝中作為中介層使用。

此外，該公司還確認(rèn)，將此次開發(fā)的方形硅基板用于利用玻璃面板等實現(xiàn)載體基板大型化的面板級封裝時，可以抑制玻璃材料因低剛性和低熱導(dǎo)率在形成重新布線層（RDL）時加熱過程中的偏熱和熱收縮引起的翹曲問題。他們計劃充分利用硅的高剛性和高熱導(dǎo)率等特性，推動其在廣泛的半導(dǎo)體領(lǐng)域中應(yīng)用。

粉體圈Coco編譯