當(dāng)前，AI已被公認(rèn)是能夠?yàn)槿袠I(yè)帶來(lái)技術(shù)進(jìn)步，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)變革，拉動(dòng)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的全新驅(qū)動(dòng)力。同時(shí)，為了擁有更強(qiáng)大的性能表現(xiàn)，AI對(duì)算力近乎無(wú)度的索取也對(duì)諸如GPU、存儲(chǔ)器、光電調(diào)制器等相關(guān)AI硬件性能提出更高要求，芯片裝聯(lián)正是硬件升級(jí)的一項(xiàng)重要內(nèi)容。

芯片裝聯(lián)簡(jiǎn)單說(shuō)就是把芯片固定在封裝基板上，同時(shí)提供必要的電氣連接，以便芯片可以與其他電子元件進(jìn)行通信。終端對(duì)裝聯(lián)提出的主要要求是保護(hù)芯片免受物理?yè)p傷、化學(xué)腐蝕以及靜電放電的影響，使整體器件保持長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。實(shí)現(xiàn)AI需要的高算力，則需要采用先進(jìn)的裝聯(lián)技術(shù)——比如倒裝芯片（Flip Chip）技術(shù)可以將芯片與基板焊接，可以實(shí)現(xiàn)更短的電氣連接路徑，從而減少信號(hào)延遲和電磁干擾（EMI），也有利于散熱和減小封裝尺寸；還比如高速存儲(chǔ)器（HBM）的堆疊封裝（Stacked Package）技術(shù)將多個(gè)存儲(chǔ)芯片垂直堆疊起來(lái)，以增加存儲(chǔ)容量；其它還包括光纖直接耦合技術(shù)，微凸點(diǎn)、銅柱（表面鍍金、銀）、熱管等技術(shù)。

多元化的裝聯(lián)技術(shù)應(yīng)用當(dāng)然會(huì)帶來(lái)多元化的材料需求。電子裝聯(lián)材料是指電子元件裝聯(lián)生產(chǎn)過(guò)程中，因工藝需要所采用的輔助性材料，在生產(chǎn)過(guò)程中，起著焊接、黏結(jié)、清洗、覆蓋、涂覆、散熱、填充等作用的不可再生的消耗性材料。其中，貴金屬材料所具備的高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電、化學(xué)惰性等特性尤其匹配AI硬件的高頻、高功率密度、高可靠性和高散熱要求。這些裝料材料的形式包括貴金屬及其合金蒸發(fā)料、濺射靶材、鍵合絲、釬焊材料、電子漿料等，它們都是AI硬件升級(jí)不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

定于10月22-23日，深圳召開(kāi)的“新材料為AI產(chǎn)業(yè)提速”先鋒論壇上，貴金屬領(lǐng)域國(guó)內(nèi)第一、全球第五的云南省貴金屬新材料控股集團(tuán)股份有限公司（貴研鉑業(yè)）周文艷研究員將作題為“貴金屬裝聯(lián)材料在半導(dǎo)體芯片中的應(yīng)用”的報(bào)告，重點(diǎn)介紹貴金屬元素的特點(diǎn)及貴金屬裝聯(lián)材料的種類、性能特點(diǎn)及其在電子元件制造生產(chǎn)過(guò)程中的主要作用和展望。

報(bào)告人簡(jiǎn)介

周文艷：云南省貴金屬新材料控股集團(tuán)股份有限公司研究員，貴研半導(dǎo)體材料（云南）有限公司生產(chǎn)技術(shù)部部長(zhǎng)。本科和博士畢業(yè)于中南大學(xué)粉末冶金研究院，昆明貴金屬研究所及香港城市大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院博士后。主要從事電子信息行業(yè)用貴金屬材料的研發(fā)，主持和參與國(guó)家、省市級(jí)科研項(xiàng)目20余項(xiàng)，發(fā)表學(xué)術(shù)論文40余篇（其中SCI檢索20余篇），獲授權(quán)發(fā)明專利6項(xiàng)（均已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化或轉(zhuǎn)化應(yīng)用）。獲中國(guó)有色金屬工業(yè)科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)（2023）、云南省中青年學(xué)術(shù)和技術(shù)帶頭人后備人才（2020）、昆明市高層次人才引進(jìn)工程創(chuàng)新類技術(shù)先進(jìn)項(xiàng)目人選（2018）。

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