近日，據山東省科技廳下達《2024年山東省重點研發計劃（重大科技創新工程）項目的通知》文件，中材高新氮化物陶瓷有限公司“高導熱氮化硅基板開發及產業化示范”和淄博芯材集成電路有限責任公司“高性能FCBGA載板研發和產業化”2個項目獲批立項，獲得省級科技創新發展資金1998萬元。
高導熱氮化硅基板導熱系數>80W/(m*k)，適用于發熱量大的第三代半導體器件如IGBT、MOSFET等，起到良好的散熱和封裝效果，在新能源汽車，混合動力汽車，高鐵，電機驅動模塊，新能源充電樁等領域得到廣泛應用。高導熱氮化硅基板可以為高性能FCBGA載板提供優異的熱管理和機械匹配性能，使其在高功率和高頻應用中表現出更高的可靠性和穩定性。
中材高新氮化物陶瓷有限公司隸屬于中國建材集團，是國內較早的氮化硅材料研發單位之一，申請/授權專利78項，擁有包括粉體合成、材料制備以及精密加工的自主核心技術，生產和技術實力居國內先進水平，生產規模較大，居國內于前列。該公司熱等靜壓氮化硅陶瓷球批量供應全球軸承頭部企業(如SKF，Schaeffler，NSK，NTN，Jtekt，MinebeaMitsumi等)，開發的高導熱氮化硅陶瓷基板性能達到日本同類產品。
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作者：粉體圈
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