據浙江嘉興高新技術產業開發區事業綜合服務中心3月27日消息，嘉興國家高新區（高照街道）一季度重大項目集中簽約儀式舉行，其中包括總投資約52億元的瓷新半導體材料總部項目——該項目計劃建設年產3000萬片的氮化硅基板及3000萬片氮化硅覆銅板。
圖片來源：看秀洲公號
氮化硅基板不僅兼顧力學性能和導熱要求，且擁有低膨脹系數、抗氧化性能、熱腐蝕性能、低介電損耗、低摩擦系數等方面具有優異的性能，有力支撐了功率半導體器件的發展。氮化硅覆銅板以電動汽車IGBT模塊應用為例，作為控制電機的關鍵組件，IGBT模塊需要承受高溫、高電壓和高電流等極端條件，而氮化硅覆銅板不僅可以有效地將模塊產生的熱量傳導到外部，還具有優異的介電性能和機械強度，能夠有效隔離和支撐模塊中的電子元件，從而為電動汽車的性能和可靠性提供了支持。
隨著生產技術水平的進步，，高強度高導熱氮化硅陶瓷基板項目將越來越多，助力更多相關產業的發展進步。
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作者：粉體圈
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