最近，日本NGK（日本特殊陶業(yè)株式會社）宣布與AIST（國家先進(jìn)工業(yè)科學(xué)技術(shù)研究所）啟動意向聯(lián)合研究，旨在實(shí)現(xiàn)對超薄氮化硅基板（厚度＜0.5mm）散熱效率的精確檢測和評估，以期達(dá)成行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，提升日本相關(guān)產(chǎn)品在全球電子設(shè)備市場的競爭力。

左：氮化硅基板 右：活性金屬釬焊（AMB）襯底

近年來，氮化硅以兼顧高熱導(dǎo)率、高機(jī)械強(qiáng)度、良好的絕緣性等特性被選為封裝基板材料。AMB技術(shù)通過微米級結(jié)合層連接陶瓷基板與銅箔，同時(shí)盡可能降低熱阻和內(nèi)應(yīng)力，從而為半導(dǎo)體功率模塊提供高效散熱。其作為關(guān)鍵材料，已在混合動力和電動車（EV/HEV）電源模塊中得到廣泛應(yīng)用。顯而易見的是，熱量從芯片（如IGBT、SiC MOSFET）到散熱器的傳遞路徑越短，散熱效率就越高。因此對陶瓷襯底減薄可以改善散熱，繼而提升功率半導(dǎo)體模塊效率；或以此減少散熱系統(tǒng)體積，提高功率密度，實(shí)現(xiàn)EV/HEV的輕量化。

目前缺乏評價(jià)低于0.5毫米厚度襯底散熱性能的明確方法，日本現(xiàn)行工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)在該領(lǐng)域空白，因此在確保測量結(jié)果的一致性方面遇到了挑戰(zhàn)。關(guān)于NGK不必過多贅述，AIST是旨在調(diào)用科學(xué)技術(shù)專長，加快開放創(chuàng)新的步伐，以應(yīng)對社會挑戰(zhàn)并增強(qiáng)工業(yè)競爭力的國立科研機(jī)構(gòu)。本次研究將結(jié)合NGK及其先進(jìn)的陶瓷襯底技術(shù)，搜集影響基材熱擴(kuò)散率測量的初步過程的量化數(shù)據(jù)，并對評價(jià)方法及其廣泛的知識進(jìn)行研究。

編譯整理 YUXI