2024年10月30日，氮化鋁材料領先企業Nitride Global,Inc宣布，將與United Semiconductor,LLC和Axiom Space合作開展一項由NASA資助的小型企業創新研究(SBIR)資助項目——“氮化鋁單晶空間制造的物理氣相沉積反應器設計和驗證”，主要內容是在太空生長氮化鋁晶體，旨在突破先進半導體材料可能性。

該半導體聯盟致力于設計和驗證物理氣相沉積反應器，以嘗試在微重力環境下生產高質量氮化鋁單晶。這符合NASA對太空制造能力的興趣，這些能力可以為自主系統、網絡傳感和其他新興航空航天技術提供新型材料和設備。該合同以第一階段 SBIR 的形式授予，預計將為合作提供一年的資金，如果該項目取得早期成功，可能還會提供后續資金。

Nitride Global首席執行官Mahyar Khosravi表示，“氮化鋁單晶太空制造技術的發展代表著航空航天和半導體行業的重大飛躍。Nitride Global始終處于氮化鋁創新的前沿，此次合作將使我們能夠探索材料科學的新領域，同時為NASA推進太空自主系統和網絡傳感的使命做出貢獻。這種合作伙伴關系強調了我們致力于突破先進半導體材料可能性界限的承諾。”

關于Nitride Global,Inc

該公司主要以低成本制備高純度氮化鋁晶體和粉體材料，用于提高UV-C LED制造的效率和產量，實現具有先進熱管理的高密度封裝，并減少半導體制造的停機時間和成本等。另外也開發AlON（氮氧化鋁）材料，可為熱管理和防護應用提供堅韌、耐化學腐蝕和耐電的涂層。

編譯整理 YUXI