光刻和薄膜沉積是芯片制造的后續(xù)工藝，而在這之前，要求在多層互連結(jié)構(gòu)（如銅布線、鎢栓塞、介質(zhì)層）中實現(xiàn)納米級甚至原子級的全局平坦化，因此CMP工藝必須精確控制材料去除速率和選擇比，這決定了芯片制造的良率與可靠性，因此它也是集成電路持續(xù)微縮和高密度集成的關(guān)鍵技術(shù)。而納米磨料是實現(xiàn)精密拋光的關(guān)鍵組分，了解其在CMP過程中的應(yīng)用，對生產(chǎn)、應(yīng)用、研發(fā)端都很有必要。

對生產(chǎn)端（納米磨料粉體企業(yè)），了解粒徑分布，可以選擇正確的分級技術(shù)和裝備；了解硬度指標(biāo)，可以優(yōu)化燒結(jié)和復(fù)合（摻雜）工藝；了解漿料性質(zhì)有助于表面修飾（改性）；知道哪些雜質(zhì)敏感才更有針對性搭建高潔凈度產(chǎn)線；

對研發(fā)端（拋光液開發(fā)生產(chǎn)企業(yè)），了解不同磨料的原子級去除機理（比如Ce3?濃度與去除率的關(guān)聯(lián)），才能更好揭示和模擬拋光機制；

對應(yīng)用端（芯片研發(fā)制造企業(yè)），了解磨料特性（SiO?/Al?O?/ CeO?），可以科學(xué)進行多層結(jié)構(gòu)（銅布線、鎢栓塞、介質(zhì)）適配。

河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院，何彥剛副研究員，曾參與兩期化學(xué)機械拋光液領(lǐng)域的國家02科技重大專項，在化學(xué)機械超精密加工、膠體與界面化學(xué)等領(lǐng)域有較深入研究。何彥剛認(rèn)為納米磨料的性能直接決定了芯片制造的良率與可靠性，定于2025年7月24-25日在東莞喜來登大酒店舉辦2025年全國精密研磨拋光材料及加工技術(shù)發(fā)展論壇（第三屆），他將作題為“納米磨料在集成電路化學(xué)機械平坦化過程中的應(yīng)用”報告，對CMP技術(shù)和材料的國產(chǎn)化路徑給出指引，為納米磨料的產(chǎn)學(xué)研協(xié)同開發(fā)生產(chǎn)給出借鑒，尤其科學(xué)地整理了納米磨料本身關(guān)鍵耗材與芯片良率和可靠性之間的邏輯關(guān)系，為產(chǎn)業(yè)上下游呈現(xiàn)了清晰脈絡(luò)。

報告人簡介

何彥剛，河北工業(yè)大學(xué)，電子信息工程學(xué)院，博士，副研究員。主持或參加多項國家、省部級科研及人才計劃項目，曾發(fā)表學(xué)術(shù)論文80余篇，授權(quán)專利30余件，獲河北省技術(shù)發(fā)明二等獎。

東莞拋光論壇會務(wù)組