JX金屬宣布繼續加強新一代半導體CVD、ALC薄膜材料（鉬化合物）供應

發布時間 | 2025-07-03 10:43 分類 | 行業要聞點擊量 | 434

導讀：近日，日本JX金屬株式會社宣布，為了應對面向下一代半導體CVD（化學氣相沉積）、ALD（原子層沉積）工藝對應材料需求極速攀升，將繼續加強推進重要的鉬化合物產能擴大以保障供應。

近日，日本JX金屬株式會社宣布，為了應對面向下一代半導體CVD（化學氣相沉積）、ALD（原子層沉積）工藝對應材料需求極速攀升，將繼續加強推進重要的鉬化合物產能擴大以保障供應。

JX金屬鉬化合物特寫

AI產業快速發展，數據中心和搭載AI的物聯網設備市場擴大，高性能半導體是支撐相關設備的關鍵硬件，其微細化和多層化是目前實現高集成度的主要途徑，而CVD、ALD薄膜需求便隨之上升。2024年2月，JX金屬已看到產業趨勢并就此設立部門，致力于實現相關材料的商業化，JX金屬于是新建了高純度CVD和ALD材料的量產線，并為客戶提供樣品，獲得好評（通過驗證）后，也做出了增強產能的決定。當年11月，JX金屬宣布已在德國生產基地啟動這些材料前驅體的生產。同時，也宣布將在日本本土進行擴產。

關于鉬化合物，相比傳統鎢前驅體材料的優勢主要體現在原子級鍍膜中實現低電阻、零污染、高填充三位一體性能，支撐AI芯片與3D存儲的微縮化演進。JX金屬表示，目前本土的茅崎工廠新建了生產線，已滿負荷運轉，同時茨城工廠也在加裝設備，為未來需求做準備，結合之前德國生產基地產能，已初步達成量產高純度鉬化合物等"芯片鍍膜原料"的目標，助力AI芯片突破技術瓶頸。

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