作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，碳化硅憑借禁帶寬度大（約3.3eV）、臨界擊穿場強高（硅的10倍）、熱導(dǎo)率出色以及更強的抗輻射能力等先天優(yōu)勢，能夠極大地提升器件的能源轉(zhuǎn)換效率與功率密度，同時顯著縮小系統(tǒng)體積，成為電動車、工業(yè)驅(qū)動、太陽能發(fā)電及5G基站等尖端應(yīng)用的動力心臟。

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然而，這顆“動力心臟”的根基——單晶SiC襯底的極端硬度（莫氏9.5，僅次于金剛石）與近乎完美的化學(xué)惰性，共同筑起了一道精密加工的技術(shù)壁壘。這些特性使得高效制備滿足超精密表面要求（無損傷、低粗糙度、高面型精度）的襯底異常困難。而襯底表面的加工精度又直接制約著后續(xù)高質(zhì)量外延薄膜生長的上限，最終制約了器件性能的發(fā)揮，因此其精密加工是碳化硅器件必須突破的核心瓶頸。

典型的SiC晶體加工過程主要分為切割、研磨和拋光三道關(guān)鍵工序：其中切割作為第一道工序，負責(zé)從SiC晶錠中分離出初始晶圓。研磨則包括粗磨和精磨，利用研磨液進行物理減薄，關(guān)鍵在于提升尺寸精度、修正面型。而拋光的核心使命是去除碳化硅表面因前道研磨工序遺留的亞表層損傷層以使表面光潔，目前廣泛采用化學(xué)機械拋光（CMP）對其進行精拋處理，該方法作為唯一能夠獲得全局平坦化的最有效的方法，是保證被加工表面實現(xiàn)超光滑、無缺陷、無損傷的關(guān)鍵。

不過，需要注意的是，要充分發(fā)揮SiC晶片的CMP拋光效果，關(guān)鍵在于SiC材料與拋光材料、工藝等的精密協(xié)同。比如如何選擇合適的拋光耗材，包括拋光液的化學(xué)成分、拋光墊的物理特性（硬度、孔隙率等）、拋光磨粒（如二氧化硅、氧化鈰等），以實現(xiàn)物理磨削作用與化學(xué)反應(yīng)去除的巧妙平衡，最終達成拋光效果（表面質(zhì)量）與拋光速率（生產(chǎn)效率） 的雙重優(yōu)化，成為了產(chǎn)業(yè)內(nèi)亟待深入探討的核心議題。

為賦能第三代半導(dǎo)體持續(xù)演進，7月24-25日，于東莞舉辦的“2025年精密研磨拋光材料及加工技術(shù)發(fā)展論壇”上，粉體圈特別邀請了浙江博來納潤電子材料有限公司的銷售總監(jiān)喬永彪先生現(xiàn)場分享報告《碳化硅的CMP材料整體解決方案》，屆時他將詳細介紹博來納潤針對碳化硅半導(dǎo)體材料所提供的CMP材料整體解決方案，如您對該報告內(nèi)容感興趣，歡迎點擊報名參會哦！

報告人介紹

喬永彪，浙江博來納潤電子材料有限公司銷售總監(jiān)，深耕化學(xué)機械拋光（CMP）行業(yè)十余年，專注于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其在碳化硅（SiC）襯底切、磨、拋整體解決方案方面具備深厚的技術(shù)積累與市場洞察；熟悉SiC襯底加工全流程，精通粗拋（提升表面平整度）與CMP拋光（實現(xiàn)超光滑無缺陷表面）等關(guān)鍵工藝，掌握CMP設(shè)備核心模塊（拋光墊、拋光頭、修整器等）的技術(shù)原理及應(yīng)用場景。

東莞精密拋光論壇會務(wù)組