事件

10月28日，浙江湖州開發區與中國科學院上海硅酸鹽研究所就碳化硅晶體項目正式簽約，這標志著長三角首個碳化硅產業化項目落戶湖州。

項目背景

世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃，而且一些國際電子業巨頭也都投入巨資發展碳化硅半導體器件，如德國的英飛凌半導體公司，美國的Cree公司、通用電子公司、摩托羅拉公司，日本的豐田、東芝、日立、富士等公司。

豐田在今年開展碳化硅功率半導體的路面測試已經進行，搭配車型為凱美瑞Hybrid原型車和燃料電池大巴。測試將評估碳化硅技術的性能，它將有可能使得混合動力汽車和電動汽車的效率大幅提升。

凱美瑞混合動力SiC原型車

項目簡介

碳化硅晶體作為第三代半導體，在新型電機電子器件、高效半導體照明、軍用器械等領域，具有廣泛的應用和巨大的市場。此次落戶湖州開發區的碳化硅晶體研發和產業化項目，將立足全球戰略眼光，努力建成國內最先進、具有國際影響力的碳化硅晶體制備技術研發和產業化基地。

技術支持

國內從事SiC晶體研制的研究所和高校主要有中科院物理所、上海硅酸鹽研究所、山東大學、西安理工大學、中國電子科技集團第四十六所等。

中國科學院上海硅酸鹽研究所作為國內科研水平最高的研究機構之一，具有基礎研究、應用研究、工程化研究、產業化為一體的完備科研體系，特別是在碳化硅晶體研究領域處于國內最前沿。

小貼士

碳化硅器件是同等硅器件耐壓的10倍

碳化硅肖特基管耐壓可達2400V。

碳化硅場效應管耐壓可達數萬伏，而通態電阻并不很大。

已用SiC材料制作出普通晶閘管、雙極晶體管(BJT)、IGBT、功率MOSFET、PN結二極管(300K溫度下耐壓達4 5kV)和肖特基勢壘二極管(300K溫度下耐壓達1kV)。

SiC是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，作為Si和GaAs的重要補充，可制作出性能更加優異的高溫(300～500℃)、高耐壓、高頻、高功率、高速度、抗輻射器件。

（粉體圈 作者：啟東）